E. LORFEVRE, "Défaillances induites par les rayonnements ionisants dans les composants de puissance IGBT et VIP. Solutions de durcissement", thèse de Doctorat, Montpellier, 30 octobre 1998.
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Thèse : [THESE071]

Titre : E. LORFEVRE, Défaillances induites par les rayonnements ionisants dans les composants de puissance IGBT et VIP. Solutions de durcissement, thèse de Doctorat, Montpellier, 30 octobre 1998.

Auteur : Eric Lorfevre

Directeur : J.M. Palau
Lieu :
Pages :

  [1] : [SHEET131] SIERRA: a 3-D device simulator for reliability modeling, 1989.
  [2] : [SHEET132] The effects of ionizing radiation on power-MOSFET termination structures, 1989.
  [3] : [SHEET133] P.E. DODD, Device simulation of charge collection and single-event upset, 1996.
  [4] : [SHEET134] Numerical simulation of heavy ion charge generation and collection dynamics, 1993.
  [5] : [SHEET135] Temperature dependence of single-event burnout in n-channel power MOSFETs (for space application), 1992.
  [6] : [SHEET136] Simulating single-event burnout of n-channel power MOSFET's, 1993.
  [7] : [SHEET126] SEB occurrence in a VIP: Influence of the epi-substrate junction, 1997.
  [8] : [SHEET183] SEU sensitive depth in a submicron SRAM technology, 1997.
  [9] : [SHEET186] Heavy ion induced failures in a power IGBT, 1997.
 [10] : [SHEET187] SEU critical charge and sensitive area in a submicron CMOS technology, 1997.


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