"SEB occurrence in a VIP: Influence of the epi-substrate junction", 1997.
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Article : [SHEET126]

Titre : SEB occurrence in a VIP: Influence of the epi-substrate junction, 1997.

Cité dans :[THESE071] E. LORFEVRE, Défaillances induites par les rayonnements ionisants dans les composants de puissance IGBT et VIP. Solutions de durcissement, thèse de Doctorat, Montpellier, 30 octobre 1998.
Auteurs : Lorfevre, E.; Sudre, C.; Dachs, C.; Detcheverry, C.; Palau, J.-M.; - Gasiot, J.; Calvet, M.-C.; Garnie, J.; Ecoffet, R.
Univ. des Sci. et Tech. du Languedoc, Montpellier, France

Appears_in : Nuclear Science, IEEE Transactions on
Page : 1624 - 1627
Date : was Held : 15-19 Sept. 1997
Info : June 1998 Vol. 45 Issue: 3 Part: 3 ISSN: 0018-9499
References : 8
CODEN : IETNAE
Accession_Number : 5955871
Stockage : Thierry LEQUEU
Lien : private/LORFEVR1.pdf - 372 Ko.

Abstract :
Heavy ion induced burnout is reported for the first time in
different parts of a VIP. A 2D-simulation investigation allows a
better understanding of this phenomenon and shows the importance
of the epi-substrate junction parameters in the SEB occurrence.

Subjet_terms :
power integrated circuits; SEB; VIP; epi-substrate junction;
heavy ion induced burnout; 2D simulation; single event burnout;
vertical intelligent power


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