P. ALOISI, "Thermal fatigue in power semiconductor", PCI'87.
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Article : [SHEET127]

Info : COMPENDEX Answer Number 4 - 21/02/2000

Titre : P. ALOISI, Thermal fatigue in power semiconductor, PCI'87.

Cité dans : [DATA035] Recherche sur les mots clés thermal + fatigue + semiconductor et reliability + thermal + cycle, mars 2004.
Cité dans :[99DIV125] Recherche sur l'auteur Pierre ALOISI, février 2000.
Cité dans :[SHEET123] P. ALOISI, La fatigue thermique, Electronique de Puissance, no. 24, 1987, pp. 31-39.
Cité dans : [CONF045] PCI, Power Conversion International, Publ by Intertec Communications, Ventura, CA, USA.
Auteur : Aloisi, Pierre (Motorola Semiconductors, Toulouse, Fr)

Title : Official Proceedings of the Thirteenth International PCI '87 Conference.
Location : Munich, West Ger
Date : 11-13 May 1987
Source : Proceedings of the Annual International PCI Conference (Power Conversion International) 1987.Publ by Intertec Communications Inc, Ventura, CA, USA
Pages : 401 - 411
CODEN : PAICED
ISBN : 0-931033-03-9
Meeting_Number : 11212
Document_Type : Conference Article
Language : English
Stockage : Thierry LEQUEU

Abstract :
In the following paper, we will see where is the maximum stress in
the medium power semiconductors, how the manufacturers improve the
power semiconductors behaviour against the thermal fatigue and how
to build a system in order to mitigate its effects.

Accession_Number : 1988(7):106364

References : 8 refs.
[1] : Lang Fehder Williams : Thermal fatigue in silicon power transistor. Note RCA ST4289, 3/70.
[2] : Earl Baker : Some effects of temperature on material properties and device reliability ; IEEE transaction on parts, hybrids and packaging. Vol PHP8, no. 4 déc. 72.
[3] : W. D. Williams : Thermal cycling rating system for silicon power transistor. Note RCA AN4612, 3/71.
[4] : P. Lecturq, E. Lachiver et JM . Dorkel : Nouvelle approche pour l'analyse thermique des dispositifs de puissance. LAAS Toulouse. SEE 1'Electronique de puissance du futur Grenoble, juin 85.
[5] : E. Philofsky, C. Hunte, H. Berg, H. Wright, R. Olsen, KV. Ravi, K. Spanger : Rapports techniques internes Motorola. 1972/73/74/75/77/79/80.
[6] : B. Roeher : Transient thermal resistance, general data and its use. AN 569 Motorola, 1972.
[7] : B. Roeher : Mounting techniques of power transistor. AN 778 Motorola 1978.
[8] : P. Aloisi : Power switch 1986, livre d'application. Motorola DLE 401/D

  [1] :  [PAP158]  -------
  [2] :  [PAP158]  -------
  [3] :  [PAP158]  -------
  [4] :  [PAP158]  -------
  [5] :  [PAP158]  -------
  [6] : [SHEET202] B. ROEHR, B. SHINER, Transient thermal resistance, general data and its use, AN 569, Motorola, 1972.
  [7] : [SHEET203] B. ROEHR, Mounting techniques of power transistor,  AN 778, Motorola, 1978.
  [8] :  [PAP158]  -------


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