P. ALOISI, "La fatigue thermique", Electronique de Puissance, no. 24, 1987, pp. 31-39.
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Article : [SHEET123]

Info : INSPEC Answer Number 20 - 21/02/2000

Titre : P. ALOISI, La fatigue thermique, Electronique de Puissance, no. 24, 1987, pp. 31-39.

Cité dans :[99DIV125] Recherche sur l'auteur Pierre ALOISI, février 2000.
Cité dans : [DATA035] Recherche sur les mots clés thermal + fatigue + semiconductor et reliability + thermal + cycle, mars 2004.
Cité dans :[SHEET127]
Auteur : Pierre ALOISI, MOTOROLA, Toulouse.

Stockage : Thierry LEQUEU (from Pierre Rault)
Info : ok pour des boitiers TO3, TO3P et TO220

Source : Electronique de Puissance
Date : Dec. 1987
Numéro : 24
Pages : 31 à 39
CODEN : ELPUEO
ISSN : 0760-0259
Language : French

Abstract :
The author derives the main points for realizing the reliable
operation of silicon chips under various operating conditions and
for different types of designs. This involves the introduction of
external connections and the consideration of the chip sandwich for
determining the heat flow on the basis of several simplifying
assumptions. The effect of the type of solder or adhesive bond
between the chip and the terminal wires, as well as the selection of
the type of housing and of the encapsulation are taken into account,
together with the problem of cycling loads.

Résumé :
La fatigue est un paramètre très important dans la fiabilité des systèmes notamment
pour les composants de puissance où les variations de températures entrainent des
contraintes mécaniques fréquentes.
L'article ci-après définit ce qu'est la fatigue pour un composant, comment on peut la
diminuer grâce à une bonne conception du produit et comment en atténuer les effets
par une utilisation rationnelle de ce même produit.

Accession_Number : 1988:3109630

Références : 8
[1] : Lang Fehder Williams : Thermal fatigue in silicon power transistor. Note RCA ST4289, 3/70.
[2] : Earl Baker : Some effects of temperature on material properties and device reliability ; IEEE transaction on parts, hybrids and packaging. Vol PHP8, no. 4 déc. 72.
[3] : W. D. Williams : Thermal cycling rating system for silicon power transistor. Note RCA AN4612, 3/71.
[4] : P. Lecturq, E. Lachiver et JM . Dorkel : Nouvelle approche pour l'analyse thermique des dispositifs de puissance. LAAS Toulouse. SEE 1'Electronique de puissance du futur Grenoble, juin 85.
[5] : E. Philofsky, C. Hunte, H. Berg, H. Wright, R. Olsen, KV. Ravi, K. Spanger : Rapports techniques internes Motorola. 1972/73/74/75/77/79/80.
[6] : B. Roeher : Transient thermal resistance, general data and its use. AN 569 Motorola, 1972.
[7] : B. Roeher : Mounting techniques of power transistor. AN 778 Motorola 1978.
[8] : P. Aloisi : Power switch 1986, livre d'application. Motorola DLE 401/D

  [1] :  [PAP158]  -------
  [2] :  [PAP158]  -------
  [3] :  [PAP158]  -------
  [4] :  [PAP158]  -------
  [5] :  [PAP158]  -------
  [6] : [SHEET202] B. ROEHR, B. SHINER, Transient thermal resistance, general data and its use, AN 569, Motorola, 1972.
  [7] : [SHEET203] B. ROEHR, Mounting techniques of power transistor,  AN 778, Motorola, 1978.
  [8] :  [PAP158]  -------


Mise à jour le lundi 25 février 2019 à 15 h 36 - E-mail : thierry.lequeu@gmail.com
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