"SEU critical charge and sensitive area in a submicron CMOS technology", 1997.
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Article : [SHEET187]

Titre : SEU critical charge and sensitive area in a submicron CMOS technology, 1997.

Cité dans :[THESE071] E. LORFEVRE, Défaillances induites par les rayonnements ionisants dans les composants de puissance IGBT et VIP. Solutions de durcissement, thèse de Doctorat, Montpellier, 30 octobre 1998.
Auteurs : Detcheverry, C.; Dachs, C.; Lorfevre, E.; Sudre, C.; Bruguier, G.; Palau, - J.M.; Gasiot, J.; Ecoffet, R.
CEM2, Univ. des Sci. et Tech. du Languedoc, Montpellier, France

Appears_in : Nuclear Science, IEEE Transactions on
Page : 2266 - 2273
Date : was Held : 21-25 July 1997
Info : Dec. 1997 Vol. 44 Issue: 6 Part: 1 ISSN: 0018-9499
References : 17
CODEN : IETNAE
Accession_Number : 5804609
Stockage : Thierry LEQUEU
Lien : private/LORFEVR4.pdf - 893 Ko.

Abstract :
This work presents SEU phenomena in advanced SRAM memory cells.
Using mixed-mode simulation, the effects of scaling on the
notions of sensitive area and critical charge is shown.
Specifically, we quantify the influence of parasitic bipolar
action in cells fabricated in a submicron technology.

Subjet_terms :
integrated circuit reliability; SEU critical charge; SEU
sensitive area; submicron CMOS technology; SRAM memory cells;
mixed-mode simulation; sensitive area; critical charge; parasitic
bipolar action


Mise à jour le lundi 25 février 2019 à 15 h 36 - E-mail : thierry.lequeu@gmail.com
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