"Heavy ion induced failures in a power IGBT", 1997.
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Article : [SHEET186]

Titre : Heavy ion induced failures in a power IGBT, 1997.

Cité dans :[THESE071] E. LORFEVRE, Défaillances induites par les rayonnements ionisants dans les composants de puissance IGBT et VIP. Solutions de durcissement, thèse de Doctorat, Montpellier, 30 octobre 1998.
Auteurs : Lorfevre, E.; Dachs, C.; Detcheverry, C.; Palau, J.-M.; Gasiot, J.; - Roubaud, F.; Calvet, M.-C.; Ecoffet, R.
Univ. des Sci. et Tech. du Languedoc, Montpellier, France

Appears_in : Nuclear Science, IEEE Transactions on
Page : 2353 - 2357
Date : was Held : 21-25 July 1997
Info : Dec. 1997 Vol. 44 Issue: 6 Part: 1 ISSN: 0018-9499
References : 13
CODEN : IETNAE
Accession_Number : 5804621
Stockage : Thierry LEQUEU
Lien : private/LORFEVR3.pdf - 948 Ko.

Abstract :
Heavy ion induced destructive failures are reported in N-channel
power IGBTs. For the first time, an experimental and 2D
simulation investigation shows that latchup is involved in the
triggering of the device.

Subjet_terms :
insulated gate bipolar transistors; heavy ion induced failure;
N-channel power IGBT; 2D simulation; latchup; device triggering


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