"Simulation sur microcalculateur de l'ouverture des thyristors GTO", 1990.
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Article : [SHEET185]

Titre : Simulation sur microcalculateur de l'ouverture des thyristors GTO, 1990.
Anglais : "Simulation on microcomputer of gate Turn off thyristors turn-off)"

Cité dans : [DATA036] Recherche sur les mots clés 3D simulation with ISE for semiconductor, 2000.
Auteur : LETURCQ P
Auteur : GAUBERT J
Auteur : NAPIERALSKI A
Auteur : KHATIR Z

Adresse : CNRS, lab. automatique analyse systèmes, Toulouse, FRA
Nature : Périodique
Source : Revue générale de l'électricité
ISSN : 0035-3116
Pays : FRA
Date : 1990
Numéro : 1
Pages : 40 - 48
Références : 16 ref.
Langue : Français
Info : "SIMULATION" ET "SEMICONDUCTOR DEVICE" - 1/26 réponses.

Résumé :
L'analyse des résultats éclaire le rôle des paramètres de structure du GTO et de l'influence du
circuit extérieur sur les performances à l'ouverture. Le modèle physique de simulation présenté ici,
permet d'explorer de nouvelles structures de composants, comme le GTO «asymétrique», ou des modes
d'utilisation nouveaux de type gate-assist-turn-off, sur des micro-calculateurs courants de type PC
avec des temps de calcul raisonnables.

Code : 001D05H
Mots_clés : Thyristor ; Dispositif puissance ; Dispositif semiconducteur ; Thyristor interrupteur ; Analyse performance ; Ouverture ; Modèle physique ; Temps calcul ; Simulation ; Ordinateur personnel ; Analyse phase ; IBM PC ; MAC 2
Mots_clés : Thyristor ; Power device ; Semiconductor device ; Gate turn off thyristor ; Performance analysis ; Opening ; Physical model ; Calculating time ; Simulation ; Personal computer ; Phase analysis
Mots_clés : Tiristor ; Dispositivo potencia ; Dispositivo semiconductor ; Tiristor interruptor ; Análisis eficacia ; Abertura ; Modelo físico ; Tiempo cálculo ; Simulación ; Computadora personal ; Análisis fase


Mise à jour le lundi 25 février 2019 à 15 h 36 - E-mail : thierry.lequeu@gmail.com
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