"Temperature dependence of single-event burnout in n-channel power MOSFETs (for space application)", 1992.
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Article : [SHEET135]

Titre : Temperature dependence of single-event burnout in n-channel power MOSFETs (for space application), 1992.

Cité dans :[THESE071] E. LORFEVRE, Défaillances induites par les rayonnements ionisants dans les composants de puissance IGBT et VIP. Solutions de durcissement, thèse de Doctorat, Montpellier, 30 octobre 1998.
Cité dans :[SHEET136] Simulating single-event burnout of n-channel power MOSFET's, 1993.
Auteur : Johnson, G.H.;
Auteur : Schrimpf, R.D.;
Auteur : Galloway, K.F.;
Auteur : Koga, R. - Dept. of Electr. & Comput. Eng., Arizona Univ., Tucson, AZ, USA

Appears : Nuclear Science, IEEE Transactions on
Page : 1605 - 1612
Date : Dec. 1992
Volume : 39
Issue : 6 Part: 1-2
ISSN : 0018-9499
CODEN : IETNAE
Stockage : Thierry LEQUEU
Lien : private/KOGA3.pdf - 546 Ko

Abstract :
The temperature dependence of single-event burnout (SEB) in
n-channel power MOSFETs is investigated experimentally and
analytically. Experimental data are presented which indicate that
the SEB susceptibility of the power MOSFET decreases with
increasing temperature. A previously reported analytical model
that describes the SEB mechanism is updated to include
temperature variations. This model is shown to agree with the
experimental trends.

Subjet_terms :
heavy ion effects; spaceborne systems; temperature dependence;
single-event burnout; n-channel power MOSFETs; model; insulated
gate field effect transistors; ion beam effects; power
transistors; radiation hardening (electronics); semiconductor
device models

Accession_Number : 4404731
References : 9


Mise à jour le lundi 25 février 2019 à 15 h 36 - E-mail : thierry.lequeu@gmail.com
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