R. ABID, "La thermoréflectivité du silicium oxyde ; application à la mesure de température à la surface d'un thyristor GTO en commutation", thèse de doctorat, CNAM, 1994, 162 pages.
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Thèse : [THESE070]

Titre : R. ABID, La thermoréflectivité du silicium oxyde ; application à la mesure de température à la surface d'un thyristor GTO en commutation, thèse de doctorat, CNAM, 1994, 162 pages.

Auteur : Abid Ridha

Directeur : Miserey F.
Lieu : Conservatoire national des arts et métiers
Pages : 0 162
Langue : Français
Info : Thèse de doctorat, 94 CNAM 0199, Cote INIST : T 98638
Info : recherche inist http://www.inist.fr du jeudi 17 février 2000, sur "THYRISTOR"

Aunglais : "Thermoreflectivity of oxidized silicon ; application to the temperature measurement at the surface of a gto thyristor in commutation"
Discipline : sciences et techniques : électronique
Mots_clés : étude expérimentale/méthode mesure/mesure sans contact/mesure température/température superficielle/thermoréflexion/réflectivité/transistor puissance/thyristor puissance / thyristor interrupteur/technologie bipolaire/silicium/nc/silicium oxyde/nc/na/fiabilité/échauffement destructif/o si/thermoréflectivité
Année : 1994
Université : CNAM
Nature : th. doct.
Identification : 94CNAM0199

Résumé :
Le fonctionnement des composants bipolaires de puissance (thyristors GTO et transistors) est
confronté au problème de leur échauffement, qui est susceptible de modifier leurs caractéristiques
électriques et parfois d'entraîner leur destruction: la température peut atteindre plusieurs
centaines de degré celsius dans des zones caractérisées par des dimensions de l'ordre de quelques
dizaines de micromètres. une technique de mesure sans contact de la température dans des zones de
dimensions micrométriques a la surface de composants de puissance en commutation a été développée.
Le phénomène physique utilise est la thermoréflectivité : variation de la réflectivité du silicium
causée par une variation de sa température. le travail présenté comprend: 1) l'étude théorique et
expérimentale de la thermoréflectivité du silicium oxyde ; 2) la conception, la réalisation et la
mise en oeuvre d'un thermoréflectomètre à grande résolution spatiale. cet appareil est destine à
mesurer sans contact la température dans des régions de très faibles dimensions (typiquement 20 micron ?)
du silicium oxyde recouvrant partiellement la surface des composants de puissance en commutation.
La variation T(E) de la température T en fonction de l'énergie E dissipée à chaque commutation
(dans l'intervalle 1 mJ < E < 25 mJ) a été étudiée en plusieurs endroits de la surface d'un
thyristor GTO en fonctionnement au voisinage immédiat, de part et d'autre, de la jonction
gâchette-cathode du composant. nous avons trouve que la variation T(E), dans ce domaine d'énergie,
est linéaire pour toutes les zones explorées, avec des pointes de températures allant de 100c a 350c,
l'échauffement étant plus important du cote cathode de la jonction que du cote gâchette.


Mise à jour le lundi 25 février 2019 à 15 h 37 - E-mail : thierry.lequeu@gmail.com
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