Recherche sur l'auteur "B. JAYANT BALIGA", juin 2001.

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Fiche : [99DIV104]

Titre : Recherche sur l'auteur B. JAYANT BALIGA, juin 2001.

Cité dans : [DIV096]  Recherches bibliographiques diverses, janvier 2019.

Recherche du 9 octobre 1999 (maison)

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  [1] : [99ART099] S.H. LARRY TU, B.J. BALIGA, Optimization of the MPS rectifier via variation of Schottky region area, ISPSD'91, pp. 109-112, 1991.
  [2] : [99ART048] B.J. BALIGA, Trends in power semiconductor devices, IEEE Trans. On Electron Devices, vol. 43, no. 10, pp. 1717-1731, October 1996.
  [3] : [99ART047] BALIGA B.J., Trends in power discrete devices, Proceedings of the 10th International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs ISPSD 98, pp 5-10, june 1998.
  [4] : [LIVRE015] B.J. BALIGA, Power Semiconductor devices, 1996.
  [5] : [LIVRE157] B.J. BALIGA, Modern Power Devices, édition John Wiley & Sons, 1987.

Lien : ISPSD/2000/committe.htm - ISPSD'2000
Lien : ISPSD/1999/ispsd99.pdf
Lien : DIV147.HTM - B.J. Baliga, Modern Power Devices. - B.J. Baliga, High Voltage Integrated Circuits, IEEE Press, 1988.
Lien : DIV109.HTM - Bibliothèque DESIGN :
No_104 : POWER SEMICONDUCTOR DEVICES B.JAYANT BALIGA PWS LAVOISIER
No_053 : MODERN POWER DEVICES B. JAYANT BALIGA WILEY LAVOISIER.
Lien : ISPSD/1998/ispsd98.txt - "Trends in Power Discrete Devices" by Prof. Baliga, North Carolina State University,

Cité dans : [PAP137]  B. K. BOSE, Advances in power electronics - its impact on the environment., proceeding of the IEEE International Symposium on Industrial Electronics, Vol 1, pp 28-30, july 1998.
Cité dans : [DIV122]  T. LEQUEU, Cours d'Electronique de Puissance - 1996/1997, E.I.V.L. 4ième année, 200 pages.
Cité dans :[LIVRE033] S.M. SZE, Modern semiconducteurs device physics, Willey-interscience, Nov 1997.
Cité dans :[99DIV088] T. LEQUEU, Cours d'Electronique de Puissance - 1999/2000, E.I.T. 2ième année, option GEA, janvier 2000.
Cité dans : [CONF007] ISPSD, Internationnal Symposium on Power Semiconductor Devices & Integrated Circuits
Cité dans : [PAP123]  [D3110][D3111], Composants semi-conducteurs de puissance, P. LETURCQ, Techniques de l'Ingénieur, mars 1993.
Cité dans : [DIV066]  Recherche sur le mot clé : TRIAC*
Cité dans : [DIV007]  Classement par type de Congrés et de revues IEEE, avril 2003.
Cité dans : [PAP003]  J.-B. QUOIRIN, R. PEZZANI, Integration fonctionnelle de puissance : les produits ASD tm, EPF'94, ENS de CACHAN, 1994, pp. 179-182.
Cité dans : [PAP083]  W.G. MIN, S.C. KIM, J.M. PARK, E.D. KIM, N.K. KIM, The dual-gated emitter switched thyristor, EPE'97, Trondheim, Vol. 2, pp. 2.044-2.048.

Ajout du mois de mai 2000

  [1] : [SHEET350] B.-J. BALIGA, Evolution of MOS-bipolar semiconductor technology, proceeding IEEE, 1988, vol. 76, pp. 409-418.

Ajout du mois de juin 2001

  [1] :  [PAP309]  M. MEHROTRA, B.J. BALIGA, A planar MOS-gated AC switch structure, Electron Devices Meeting, 1995, pp. 349-352.

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