C. FURBOCK, R. THALHAMMER, M. LITZENBERGER, N. SELIGER, D. POGANY, E. GORNIK, G. WACHUTKA, "A differential backside laserprobing technique for the investigation of the lateral temperature distribution in power devices", ISPSD'99, pp. 193-196.

C. FURBOCK, R. THALHAMMER, M. LITZENBERGER, N. SELIGER, D. POGANY, E. GORNIK, G. WACHUTKA, "A differential backside laserprobing technique for the investigation of the lateral temperature distribution in power devices", ISPSD'99, pp. 193-196. Copyright - [Précédente] [Première page] [Suivante] - Home

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Titre : C. FURBOCK, R. THALHAMMER, M. LITZENBERGER, N. SELIGER, D. POGANY, E. GORNIK, G. WACHUTKA, A differential backside laserprobing technique for the investigation of the lateral temperature distribution in power devices, ISPSD'99, pp. 193-196.

Cité dans : [DATA204] fke, Institut für Festkörperelektronik (E362), 2000.
Cité dans : [CONF007] ISPSD, Internationnal Symposium on Power Semiconductor Devices & Integrated Circuits
Cité dans :[THESE090] S. MOREAU, Fiabilité environnementale des composants de puissance : le TRIAC, Thèse de Doctorat, soutenue le 17 mai 2005, 127 pages.

Auteur : Furbock, C.
Auteur : Thalhammer, R.
Auteur : Litzenberger, M.
Auteur : Seliger, N.
Auteur : Pogany, D.
Auteur : Gornik, E.
Auteur : Wachutka, G. - Inst. for Solid State Electron., Tech. Univ. Wien, Austria

Stockage : Thierry LEQUEU, le 2 novembre 2000.
Info : demande INIST, le 26 octobre 2000
Lien : private/FURBOCK.pdf - 341 Ko.
Source : Power Semiconductor Devices and ICs, 1999. ISPSD '99. Proceedings., The 11th International Symposium on
Pages : 193 - 196
Date : 26-28 May 1999
ISBN : 0-7803-5290-4
Info : IEEE Catalog Number: 99CH36312
Info : Total Pages : xxiii+359
References : 8
Accession_Number : 6475720

Abstract :
We present a differential backside laser probing technique for
the investigation of lateral temperature variations in power
devices. The method is applied to analyze the temperature
evolution in IGBTs operated under short circuit conditions. The
extraction of the temperature from optical modulation signals is
supported by electro-thermal device simulations, taking into
account sample preparation effects.

Subject_terms :
power bipolar transistors; differential backside laser probing
technique; lateral temperature distribution; power devices;
lateral temperature variation; temperature evolution; IGBTs;
short circuit conditions; temperature extraction; optical
modulation signals; electro-thermal device simulations; sample
preparation effects

Mise à jour le lundi 10 avril 2023 à 18 h 59 - E-mail : thierry.lequeu@gmail.com
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