W. WU, P. SCACCO, M. HELD, P. JACOB, "Electrical Overstress Failure in Power Insulated Gate Bipolar Transistors Modules", 21th International Symposium for Testing and Failure Analysis, 1995, pp 159-162.
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Titre : W. WU, P. SCACCO, M. HELD, P. JACOB, Electrical Overstress Failure in Power Insulated Gate Bipolar Transistors Modules, 21th International Symposium for Testing and Failure Analysis, 1995, pp 159-162.

Cité dans : [DIV137]  Recherche sur les mots clés : FIABILIT* ou RELIABILITY, octobre 1999.
Cité dans : [CONF043] ISTFA, International Symposium for Testing and Failure Analysis et IEE proc. IGBT propulsion drives, London, mai 2002.
Cité dans :[99DIV133] Recherche sur l'auteur Peter JACOB, juin 2000.
Cité dans :[SHEET321]
Auteur : Wu W.
Auteur : Scacco P.
Auteur : Held M.
Auteur : Jacob P.

Lien : SHEET321.HTM#Bibliographie - référence [15].
Stockage : Thierry LEQUEU (27 mai 2000)
Source : 21th International Symposium for Testing and Failure Analysis
Date : 1995
Pages : 159 - 162


Bibliographie

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Références : 5
  [1] : [SHEET068] B.K. BOSE, Power electronics - a technology review, Proceedings of the IEEE, August 1992, Vol. 80, No. 8, pp. 1303-1334.
  [2] : [SHEET350] B.-J. BALIGA, Evolution of MOS-bipolar semiconductor technology, proceeding IEEE, 1988, vol. 76, pp. 409-418.


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