A. MUNOZ YAGUEE, "Contribution a l'etude du comportement physique des dispositifs semi-conducteurs pin et pnpn", 1977.
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Titre : A. MUNOZ YAGUEE, Contribution a l'etude du comportement physique des dispositifs semi-conducteurs pin et pnpn, 1977.

Auteur : MUNOZ YAGUEE (A.) (fr.)
: sciences et techniques : electronique
: sciences et techniques : electrotechnique. electroenergetique clés
: diode/diode couche intrinseque/thyristor/commutation/caracteristique electrique/composant/composant electronique ée
: 1977 é
: toulouse 3
: doctorat d'etat
: 6 p. 1/2 ésumé (fr.)
: analyse physique des mecanismes qui conditionnent le comportement electrique des diodes pin et des thyristors pnpn. etude du regime de fonctionnement direct des dispositifs redresseurs multicouches. etude du probleme de recouvrement inverse des diodes pin et des thyristors pnpn c.a.d. etudes des caracteristiques electriques a la commutation entre etat passant et etat bloque. etude de la sensibilite du thyristor aux differents agents de declenchement commande ou parasite.
:


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