Article : [SHEET386]

Titre : F. Nallet, A. Sénès, D. Planson, M.L. Locatelli, J.P. Chante, D. Renault, Electrical and Electrothermal 2D Simulations of a 4H-SiC High Voltage Current Limiting Device for Serial Protection Applications, ISPSD'2000, pp. 287-290.

Cité dans : [DATA125] ISPSD'2000, 12th Internationnal Symposium on Power Semiconductor Devices & Integrated Circuits, May 22-25 2000, Toulouse, France.

Stockage : Thierry LEQUEU
Lien : private/NALLET.pdf - 2026 Ko.
Source : ISPSD'2000, Toulouse, France
Pages : 287 - 290
Date : May 22-25, 2000
Référence : 13

Abstract :
This work presents a novel field for solid state power devices : a 4H-SiC specific device is
examined as a current limiting device for serial protection application. The device structure is a
vertical power MOSFET like with a existing N channel. Its performances is simulated with ISE TCAD
tools. A study of its electrothermal behavior is presented, demonstrating the SiC superiority over
silicon with regards to this field.

Index_terms : SiC, current limiting device, serial protection, temperature, simulation.

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