"Thermal simulation of energetic transients in multilevel metallisation systems".
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Article : [SHEET179]

Titre : Thermal simulation of energetic transients in multilevel metallisation systems.

Cité dans : [DATA036] Recherche sur les mots clés 3D simulation with ISE for semiconductor, 2000.
Auteur : GUI X
Auteur : DEW SK
Auteur : BRETT MJ

Adresse : Univ of Alberta, Edmonton Alberta, CAN
Nature : Périodique
Source : Electronics Letters
ISSN : 0013-5194
CODEN : ELLEAK
Pays : GBR
Date : 1995
Volume : 31
Numéro : 22
Pages : 1954 - 1956
Références : 5 Refs.
Langue : Anglais
Info : "DEVICE SIMULATION" OU "THERMAL SIMULATION" ou "TWO DIMENSIONAL ELECTROTHERMAL DEVICE" - 2/4 réponses.

Résumé :
Thermal simulation of transients due to high current pulses in multilevel metallisation systems has been performed. Such transients can cause metallisation failure and are of particular concern for field-programmable gate array (FPGA) devices with voltage programmable links (VPLs). To prevent this failure, the maximum pulse width against current density has been determined for a three-level metal system. Comparison with a single-level system is also illustrated.

Code : 001D03F; 001D06D02A; 001D02C; 001D02A04; 001D05A; 230
Mots_clés : Intelligence artificielle; Energie ; Théorie ; Effet thermique ; Simulation ordinateur ; Porte logique ; Analyse dommage ; Densité courant ; Structure dispositif semiconducteur ; Dispositif semiconducteur ; Expérience
Mots_clés : Artificial intelligence; Energy ; Thermal simulation ; Energetic transients ; Multilevel metallisation systems ; Metallisation failure ; Field programmable gate array ; Voltage programmable links ; Theory ; Thermal effects ; Computer simulation ; Logic gates ; Failure analysis ; Current density ; Semiconductor device structures ; Semiconductor devices ; Experiments
Mots_clés : Inteligencia artificial; Energia
Localisation : INIST - 12270
Numéro : 96-0125446; INIST


Mise à jour le lundi 25 février 2019 à 15 h 36 - E-mail : thierry.lequeu@gmail.com
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