"Modeling of the critical current density of bipolar transistor with retrograde collector doping profile".
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Article : [SHEET178]

Titre : Modeling of the critical current density of bipolar transistor with retrograde collector doping profile.

Cité dans : [DATA036] Recherche sur les mots clés 3D simulation with ISE for semiconductor, 2000.
Auteur : LEE JH
Auteur : KANG WG
Auteur : LYU JS
Auteur : LEE JD

Adresse : Wonkwang Univ, INC
Nature : Périodique
Source : IEEE Electron Device Letters
ISSN : 0741-3106
CODEN : EDLEDZ
Pays : USA
Date : 1996
Volume : 17
Numéro : 3
Pages : 109 - 111
Références : 6 Refs.
Langue : Anglais
Info : "DEVICE SIMULATION" OU "THERMAL SIMULATION" ou "TWO DIMENSIONAL ELECTROTHERMAL DEVICE" - 2/4 réponses.

Résumé :
Advanced bipolar transistors used for high speed integrated circuits tend to drive high current density. As a result, base-widening occurs and device performance degrades. One of methods to alleviate the base-widening is to form retrograde collector profile. In this paper, we have derived for the first time the model of the critical current density of bipolar transistor with retrograde collector profile. To verify the model, we performed extensively device simulation for two different collector profiles. Results from the model were compared with those of device simulation. The model derived shows a good agreement with device simulation over V(CB) bias range of 1 - 4 V.

Code : 001D03F; 001D05A; 001D02C; 001D03C
Mots_clés : Intelligence artificielle ; Théorie ; Densité courant critique supraconducteur ; Simulation ordinateur ; Modèle dispositif semiconducteur ; Jonction semiconducteur ; Dopage semiconducteur ; Champ électrique ; Concentration porteur charge ; Performance ; Caractéristique courant tension ; Transistor bipolaire ; Expérience
Mots_clés : Artificial intelligence ; Retrograde collector ; Device simulation ; High current characteristics ; Gaussian function ; Poisson equation ; Theory ; Critical current density (superconductivity) ; Computer simulation ; Semiconductor device models ; Semiconductor junctions ; Semiconductor doping ; Electric fields ; Carrier concentration ; Performance ; Current voltage characteristics ; Bipolar transistors ; Experiments
Mots_clés : Inteligencia artificial
Localisation : INIST - 222 V
Numéro : 96-0169762; INIST


Mise à jour le lundi 25 février 2019 à 15 h 36 - E-mail : thierry.lequeu@gmail.com
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