"Low-temperature impurity breakdown in semiconductors: an approach towards efficient device simulation".
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Article : [SHEET180]

Titre : Low-temperature impurity breakdown in semiconductors: an approach towards efficient device simulation.

Cité dans : [DATA036] Recherche sur les mots clés 3D simulation with ISE for semiconductor, 2000.
Auteur : KUNZ RE
Auteur : SCHOLL E
Auteur : NURNBERG R
Auteur : GAJEWSKI H

Adresse : Technische Universitaet Berlin, Berlin, DEU
Nature : Périodique
Source : Solid-State Electronics:An International Journal
ISSN : 0038-1101
CODEN : SSELA5
Pays : GBR
Date : 1996
Volume : 39
Numéro : 8
Pages : 1155 - 1164
Langue : Anglais
Info : "DEVICE SIMULATION" OU "THERMAL SIMULATION" ou "TWO DIMENSIONAL ELECTROTHERMAL DEVICE" - 4/4 réponses.

Résumé :
The spatio-temporal dynamics of threshold switching from a nearly insulating to a high-conducting state in the regime of impurity impact ionization breakdown in semiconductors is studied by means of a simulation scheme that combines the drift-diffusion approach with Monte Carlo simulations of the generation-recombination parameters. One-dimensional simulations yield a three-stage scenario for the breakdown process: a stage of front creation and propagation from the injecting contact, followed by a stage of stagnation dominated by a seesaw-like mode, and finally a stage of uniform impact-ionization induced growth. Simulations of a two-dimensional sample domain show the creation of a current filament.

Code : 001D05A; 001D03C; 001D02C; 001A02H02; 001B60A66
Mots_clés : Intelligence artificielle ; Théorie ; Matériau semiconducteur ; Simulation ordinateur ; Commutation ; Méthode Monte Carlo ; Concentration porteur charge ; Impureté cristal ; Phénomène basse température ; Porteur charge ; Champ électrique ; Disruption électrique ; Expérience
Mots_clés : Artificial intelligence ; Low temperature impurity breakdown ; Device simulation ; Spatio-temporal dynamics ; Impact ionization breakdown ; Generation recombination processes ; Current filaments ; Driff diffusion ; Theory ; Semiconductor materials ; Computer simulation ; Switching ; Monte Carlo methods ; Carrier concentration ; Crystal impurities ; Low temperature phenomena ; Charge carriers ; Electric fields ; Electric breakdown ; Experiments
Mots_clés : Inteligencia artificial
Localisation : INIST - 2888
Numéro : 96-0371864; INIST


Mise à jour le lundi 25 février 2019 à 15 h 36 - E-mail : thierry.lequeu@gmail.com
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