Elsevier Science, "Microelectronics Reliability", Volume 39, Issue 4, Pages 441-549, April 1999.
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Revue : [REVUE236]

Titre : Elsevier Science, Microelectronics Reliability, Volume 39, Issue 4, Pages 441-549, April 1999.

Cité dans : [DATA197] Les revues Microelectronics Reliability et Microelectronics Journal, ELSEVIER, décembre 2004.
Auteur : Elsevier Science

Volume : 39
Issue : 4
Date : April 1999

[1] : Slow-trap profiling of NO and N2O nitrided oxides grown on Si and SiC
substrates, Pages 441-449
Sima Dimitrijev, Philip Tanner and H. Barry Harrison
Lien : vide.pdf - | Article | Journal Format-PDF (267 K)

[2] : A simulation-based semiconductor chip yield model incorporating a new
defect cluster index, Pages 451-456
Chi-Hyuck Jun, Yushin Hong, Soo Young Kim, Kwang-Su Park and Hangyeob Park
Lien : vide.pdf - | Article | Journal Format-PDF (164 K)

[3] : Physical structure of light-emitting porous polycrystalline silicon thin
films, Pages 457-462
P. G. Han, H. Wong and M. C. Poon
Lien : vide.pdf - | Article | Journal Format-PDF (167 K)

[4] : Chip Scale Package (CSP) solder joint reliability and modeling, Pages 463-477
M. Amagai
Lien : private/AMAGAI.pdf - 372 Ko, 15 pages.

  [1] :  [PAP464]  M. AMAGAI, Chip Scale Package (CSP) solder joint reliability and modeling, Microelectronics and Reliability, Volume 39, Issue 4, April 1999, pp. 463-477.

[5] : Process characterisation of hot-carrier-induced degradation in bipolar
transistors for BiCMOS, Pages 479-485
A. Arshak, D. McDonagh, K. I. Arshak, D. Doyle and I. Harrow
Lien : vide.pdf - | Article | Journal Format-PDF (158 K)

[6] : Threshold voltage model for deep-submicron fully depleted SOI MOSFETs with
back gate substrate induced surface potential effects, Pages 487-495
Mohamed A. Imam, Mohamed A. Osman and Ashraf A. Osman
Lien : vide.pdf - | Article | Journal Format-PDF (205 K)

[7] : Single transistor technique for interface trap density measurement in
irradiated MOS devices, Pages 497-505
V. S. Pershenkov, S. V. Cherepko, R. E. Ivanov, A. V. Shalnov and V. V.
Abramov
Lien : vide.pdf - | Article | Journal Format-PDF (200 K)

[8] : Stress-induced voiding in stacked tungsten via structure, Pages 507-513
Shinichi Domae, Ryuji Eto and Keiji Okuma
Lien : vide.pdf - | Article | Journal Format-PDF (193 K)

[9] : Voltage transients in electromigration noise measurement data, Pages
529-535
L. M. Head and C. Fahrenkrug
Lien : vide.pdf - | Article | Journal Format-PDF (172 K)

[10] : Additional microstructural analysis on the samples examined in the paper
`Are high resolution resistometric methods really useful for the early
detection of electromigration damage?', Pages 537-540
R. Balboni, I. de Munari, M. Impronta and A. Scorzoni
Lien : vide.pdf - | Article | Journal Format-PDF (154 K)

[11] : A model of 1/f noise spectrum generation in granular structures, Pages
541-544
Keiji Takagi
Lien : vide.pdf - | Article | Journal Format-PDF (99 K)

[12] : Book Review, Pages 545-546
Journal Format-PDF (78 K)

[13] : Book Review, Page 547
Journal Format-PDF (72 K)

[14] : Erratum, Page 549
Journal Format-PDF (84 K)

[15] : Development of test vehicles for evaluating plastic-encapsulant
reliability and improving thermal conductivity of encapsulant materials,
Pages : 515-527
Leonard R. Enlow, Dale W. Swanson and Christine M. Naito
Lien : vide.pdf - | Article | Journal Format-PDF (312 K)


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