Elsevier Science, "Microelectronics Reliability", Volume 39, Issue 3, Pages 327-429, March 1999.
Copyright - [Précédente] [Première page] [Suivante] - Home

Revue : [REVUE235]

Titre : Elsevier Science, Microelectronics Reliability, Volume 39, Issue 3, Pages 327-429, March 1999.

Cité dans : [DATA197] Les revues Microelectronics Reliability et Microelectronics Journal, ELSEVIER, décembre 2004.
Auteur : Elsevier Science

Volume : 39
Issue : 3
Pages : 327 - 429
Date : March 1999

[1] : Gate oxide reliability concerns in gate-metal sputtering deposition
process: an effect of low-energy large-mass ion bombardment, Pages 327-332
Takeo Ushiki , Mo-Chiun Yu, Kunihiro Kawai, Toshikuni Shinohara , Kazuhide
Ino Mizuho Morita and Tadahiro Ohmi
Lien : vide.pdf - | Article | Journal Format-PDF (257 K)

[2] : Degradation of InGaAs/InP single heterojunction bipolar transistors under
high energy electron irradiation, Pages 333-339
A. Bandyopadhyay, S. Subramanian, S. Chandrasekhar, A. Dentai and S. M.
Goodnick
Lien : vide.pdf - | Article | Journal Format-PDF (343 K)

[3] : Random telegraph signal noise instabilities in lattice-mismatched
InGaAs/InP photodiodes, Pages 341-345
D. Pogany and G. Guillot
Lien : vide.pdf - | Article | Journal Format-PDF (208 K)

[4] : Texture and electromigration lifetime improvements in layered Al-alloy
metallization with underlying Ti by controlling water adsorption on SiO2
substrates, Pages 347-356
Tomoyuki Yoshida, Shoji Hashimoto, Yasuichi Mitsushima, Takeshi Ohwaki and
Yasunori Taga
Lien : vide.pdf - | Article | Journal Format-PDF (644 K)

[5] : Oxide thickness dependence of plasma charging damage, Pages 357-364
H. -C. Lin, C. -C. Chen, M. -F. Wang, S. -K. Hsien, C. -H. Chien, T. -Y.
Huang and C. -Y. Chang
Lien : vide.pdf - | Article | Journal Format-PDF (615 K)

[6] : Improvement of gate dielectric reliability for p+poly MOS devices using
remote PECVD top nitride deposition on ultra-thin (2.4¯6 nm) gate oxides,
Pages : 365-372
Y. Wu and G. Lucovsky
Lien : vide.pdf - | Article | Journal Format-PDF (289 K)

[7] : A new algorithm for transforming exponential current ramp breakdown
distributions into constant current TDDB space, and the implications for
gate oxide QBD measurement methods, Pages 373-381
N. A. Dumin
Lien : vide.pdf - | Article | Journal Format-PDF (345 K)

[8] : Dislocation dynamics in heterojunction bipolar transistor under current
induced thermal stress, Pages 383-389
C. T. Tsai and L. L. Liou
Lien : vide.pdf - | Article | Journal Format-PDF (387 K)

[9] : Evaluation of reliability of BGA solder joints through twisting and
bending, Pages 391-399
U. Daya Perera
Lien : vide.pdf - | Article | Journal Format-PDF (1959 K)

[10] : Frequency dependence of the lifetime of a surface micromachined
microengine driving a load, Pages 401-414
Danelle M. Tanner, William M. Miller, Ken A. Peterson, Michael T. Dugger,
William P. Eaton, Lloyd W. Irwin, Donna C. Senft, Norman F. Smith, Paiboon
Tangyunyong and Samuel L. Miller
Lien : vide.pdf - | Article | Journal Format-PDF (1769 K)

[11] : New layout design for submicron CMOS output transistors to improve driving
capability and ESD robustness, Pages 415-424
M. -D. Ker, T. -Y. Chen and H. -H. Chang
Lien : vide.pdf - | Article | Journal Format-PDF (1307 K)

[12] : Book Review, Page 425
Journal Format-PDF (70 K)

[13] : Book Review, Page 427
Journal Format-PDF (66 K)

[14] : Book Review, Page 429
Journal Format-PDF (66 K)


Mise à jour le lundi 10 avril 2023 à 18 h 56 - E-mail : thierry.lequeu@gmail.com
Cette page a été produite par le programme TXT2HTM.EXE, version 10.7.3 du 27 décembre 2018.

Copyright 2023 : TOP

Les informations contenues dans cette page sont à usage strict de Thierry LEQUEU et ne doivent être utilisées ou copiées par un tiers.
Powered by www.google.fr, www.e-kart.fr, l'atelier d'Aurélie - Coiffure mixte et barbier, La Boutique Kit Elec Shop and www.lequeu.fr.