R. PEZZANI, J.-B. QUOIRIN, "Functional integration of power devices : a new approach", EPE'95 Seville, pp 2.219-2.223, 1995.
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Article : [PAP116]

Info : INSPEC ANSWER 4, le 07/10/2000.

Titre : R. PEZZANI, J.-B. QUOIRIN, Functional integration of power devices : a new approach, EPE'95 Seville, pp 2.219-2.223, 1995.

Cité dans : [DIV134]  EPE'95, European Conference on POWER ELECTRONICS AND APPLICATIONS, Seville, Espagne, september 1995.
Cité dans :[99DIV109] Recherche sur l'auteur Robert PEZZANI, octobre 2000.
Cité dans :[PAP131]
Cité dans :[99ART028]
Cité dans :[99ART124]
Cité dans :[99ART140]
Auteur : Robert PEZZANI
Auteur : Jean Baptiste QUOIRIN (SGS-Thomson Microelectron., Tours, France)

Lien : PAP131.HTM#Bibliographie - référence [7].
Lien : 99ART028.HTM#Bibliographie - référence [7].
Lien : 99ART124.HTM#Bibliographie - référence [2].
Lien : 99ART140.HTM#Bibliographie - référence [1].
Source : EPE '95. 6th European Conference on Power Electronics and Applications, Brussels, Belgium: EPE Assoc, 1995.
Conference : Seville, Spain, 19-21 Sept 1995Sponsor(s): Eur. Power Electron. & Drives Assoc
Date : 1995
Volume : 2 of 4 vol. (xxxii+42+xxxiv+948+xxx+928+1032)
Pages : de 219 à 223
Stockage : Thierry LEQUEU
Mots_clef : Electronique de puissance, integration fonctionnelle, power devices, discrete, functional integration

Abstract :
This paper reviews an innovative approach enabling the integration of power electronic
devices such as thyristors, diodes, etc. The proposed concept, well adapted for bidirectional
power convertor behaviour, allows, for example, the conception of circuits for handling AC
current from the mains. The authors describe the features of this approach and give several
examples.

Références : 3

  [1] : [99ART099] S.H. LARRY TU, B.J. BALIGA, Optimization of the MPS rectifier via variation of Schottky region area, ISPSD'91, pp. 109-112, 1991.
  [2] : [THESE054] P.D. HAMPIKIAN, Diode rapide de puissance haute tension, Thèse de doctorat d'état ès-sciencs, Université de Paris Sud, le 5 juillet 1991.
  [3] :  [PAP009]  J.-L. SANCHEZ, R. BERRIANE, J. JALADE, Light Trigged thyristor with a MOS amplyfing gate : an example of galvanically insulated high voltage integrated switch, ISPSD'93, Monterey CA USA, Mai 1993, pp. 281-286.

Accession_Number : 1997:5552803 INSPEC


Mise à jour le lundi 25 février 2019 à 15 h 34 - E-mail : thierry.lequeu@gmail.com
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