G. VERNEAU, M. COYAUD, C. CREBIER, C. SCHAEFFER, "Silicon carbide for power electronics", RGE, octobre 2003, pp. 34-38.
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Article : [ART567]

Info : REPONSE 1, le 13/07/2004.

Titre : G. VERNEAU, M. COYAUD, C. CREBIER, C. SCHAEFFER, Silicon carbide for power electronics, RGE, octobre 2003, pp. 34-38.

Cité dans : [DIV436]  Recherche sur l'auteur Martin COYAUD, juillet 2004.
Cité dans :[REVUE430] REE N°09, Revue de l'Electricité et de l'Electronique, octobre 2003.
Cité dans : [DIV105]  Les revues RGE Revue de Générale de l'Electricité et REE Revue de l'Electricité et de l'Electronique, France.
Auteur : Verneau, G.
Auteur : Coyaud, M.
Auteur : Crebier, J.-C.
Auteur : Schaeffer, C. (Lab. d'Electrotech. de Grenoble, CNRS, St. Martin d'Heres, France)

Source : Revue de l'Electricite et de l'Electronique
Date : Octobre 2003
Numéro : 9
Pages : 34 - 38
Références : 12 refs.
Published : Rev. Gen. Electr
CODEN : REELF3
ISSN : 1265-6534
SICI : 1265-6534(200310)9L.34:SCPE;1-N
Document_Type : Journal
Treatment_Code : Practical; Theoretical
Info : Country of Publication : France
Language : French
Stockage :
Switches :
Power :
Software :

Abstract :
Silicon semiconductor devices for energy conversion in power electronics applications have just about reached their performance limits, set by basic material parameters (electrical breakdown field). The electrical and thermal characteristics of silicon carbide (SiC) hold considerable promise for performance improvement. This article begins by outlining technological processes (crystallogenesis, epitaxy) then goes on to discuss progress in various types of switch: PIN and Schottky diodes, bipolar transistors, MOSFETs, JFETs and GTO thyristors.

Accession_Number : 2004:7973439 INSPEC


Mise à jour le lundi 25 février 2019 à 15 h 31 - E-mail : thierry.lequeu@gmail.com
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