K. SHENAI, "High-power robust semiconductor electronics technologies in the new millennium", Microelectronics Journal, Vol. 32, No. 5-6, May 2001, pp. 397-408.
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Article : [ART513]

Info : REPONSE 57, le 31/03/2004.

Titre : K. SHENAI, High-power robust semiconductor electronics technologies in the new millennium, Microelectronics Journal, Vol. 32, No. 5-6, May 2001, pp. 397-408.

Cité dans : [DATA035] Recherche sur les mots clés thermal + fatigue + semiconductor et reliability + thermal + cycle, mars 2004.
Cité dans : [DIV293]  Recherche sur l'auteur Krishna SHENAI, mars 2004.
Cité dans : [DATA197] Les revues Microelectronics Reliability et Microelectronics Journal, ELSEVIER, décembre 2004.
Cité dans :[REVUE479] Elsevier Science, Microelectronics Journal, Volume 32, Issues 5-6, Pages 395-552, May-June 2001.
Auteur : Shenai, K. (Department of Electrical Engineering University of Illinois, Chicago, IL 60607, United States)

Source : Microelectronics Journal
Volume : 32
Numero : 5-6
Date : May 2001
Pages : 397 - 408
ISSN : 0026-2692
Année : 2001
Document_Type : Journal
Treatment_Code : General Review; Theoretical
Language : English
Stockage : Thierry LEQUEU
Lien : private/Shenai2.pdf - 404 Ko, 12 pages.

Abstract :
This paper presents an overview of power semiconductor devices for the development of advanced robust high-performance power electronic systems for the new millennium. Material and device technologies on silicon and wide energy band-gap semiconductors are discussed along with switching circuits and topologies. Short-term and long-term reliability issues of power semiconductor devices are discussed. An approach is presented to correlate converter field failures to dynamic switching stresses, residual defects and contaminants left in the semiconductor power switch, packaging, and thermal management. Component and system level simulation, modeling and CAD requirements are evaluated. System-level optimization is proposed as an essential requirement to develop robust power systems at affordable cost. $CPY 2001 Published by Elsevier Science Ltd. 31 Refs.

Accession_Number : 2001(32):5210 COMPENDEX



Références : 31

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