E.A. HERR, A. POE, "TRANSISTOR HIGH-RELIABILITY PROGRAM", IAS 1977.
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Article : [ART251]

Info : REPONSE 16, le 13/05/2002.

Titre : E.A. HERR, A. POE, TRANSISTOR HIGH-RELIABILITY PROGRAM, IAS 1977.

Cité dans : [DATA240] Recherche sur l'auteur E. HERR, mai 2002.
Auteur : Herr, Erwin A. (Semicond Prod Dep, Syracuse, NY)
Auteur : Poe, Alfred

Source : Conf Rec IAS Annu Meet 12th, Los Angeles, Calif, Oct 2-6 1977. Publ by IEEE (Cat n 77CH1246-8-IA), New York, NY, 1977
Pages : 833 - 839
CODEN : CIASDZ
Année : 1977
Language : English
Stockage :
Switches :
Power :
Software :

Abstract :
This paper describes the use of an accelerated stress screen to
remove potential bond-related and semiconductor chip-type failures in
transistors. The accelerated stress, which involves thermal cycling and a
special screening procedure, is demonstrated as effective in detecting and
removing the small percentage of intermittent type failures which normally
may not be screened out.

Accession_Number : 1978(5):6656 COMPENDEX


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