E.A. HERR, A. POE, A. FOX, "RELIABILITY EVALUATION AND PREDICTION FOR DISCRETE SEMICONDUCTORS", IEEE Trans. Reliab. 1980.
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Article : [ART250]

Info : REPONSE 15, le 13/05/2002.

Titre : E.A. HERR, A. POE, A. FOX, RELIABILITY EVALUATION AND PREDICTION FOR DISCRETE SEMICONDUCTORS, IEEE Trans. Reliab. 1980.

Cité dans : [DATA240] Recherche sur l'auteur E. HERR, mai 2002.
Auteur : Herr, Edwin A. (GE, Syracuse, NY)
Auteur : Poe, Alfred
Auteur : Fox, Albert

Source : IEEE Trans Reliab v R-29 n 3 Aug 1980
Pages : 208 - 216
CODEN : IEERAJ
ISSN : 0018-9529
Année : 1980
Language : English
Stockage :
Switches :
Power :
Software :

Abstract :
The use of accelerated step-stress and constant stress-in-time test
techniques is demonstrated for generating models for predicting
reliability at use conditions. Reliability prediction models were obtained
for a signal diode, signal and power transistors, silicon controlled
rectifier, and metal oxide varistor. The effect of relative humidity on
reliability is discussed. A transistor high-reliability screen which
removes devices with early manufacturing type defects is described.

Références : 7 refs.

Accession_Number : 1981(1):4883 COMPENDEX


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