J.A. van der POL, H.J. Gerritsena, R.T.H. Rongena, P.P.M.C. Groenevelda, P.W. Ragaya, H.A. van den Hurk, "Reliability issues in 650V high voltage bipolar-CMOS-DMOS integrated circuits", Microelectronics and Reliability, Volume 37, Issues 10-11, 11 October
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Article : [ART231]

Titre : J.A. van der POL, H.J. Gerritsena, R.T.H. Rongena, P.P.M.C. Groenevelda, P.W. Ragaya, H.A. van den Hurk, Reliability issues in 650V high voltage bipolar-CMOS-DMOS integrated circuits, Microelectronics and Reliability, Volume 37, Issues 10-11, 11 October 1997, pp. 1723-1726.

Cité dans :[REVUE199] Elsevier Science, Microelectronics Reliability, Vol. 37, Issues 10-11, Pages 1421-1798, 11 October 1997.
Auteur : Jacob A. van der POL
Auteur : Han J. Gerritsen
Auteur : Rene T. H. Rongen
Auteur : Peter P. M. C. Groeneveld
Auteur : Peter W. Ragay
Auteur : Henk A. van den Hurk

Vers : Bibliographie
Adresse : Philips Semiconductors, Consumer IC Nijmegen, Gerstweg 2 6534 AE Nijmegen The Netherlands
Source : Microelectronics and Reliability
Volume : 37
Issues : 10 - 11
Date : 11 October 1997
Pages : 1723 - 1726
PII : S0026-2714(97)00148-0
Lien : private/JACOB1.pdf - 276 Ko, 4 pages
Switches : bipolar-CMOS-DMOS
Stockage : Thierry LEQUEU

Abstract :
Dominant failure modes in high power/high voltage (650V) BCD-technologies are
threshold voltage instabilities of the lateral DMOS transistor due to sodium
ingression and parasitic leakage currents in low voltage devices induced by high
surface potentials originating from the high voltage devices. The failure
mechanisms and their temperature dependence have been characterized and process
and layout improvements are demonstrated.


Bibliographie

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References : 6


Mise à jour le lundi 25 février 2019 à 15 h 31 - E-mail : thierry.lequeu@gmail.com
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