MIYASHITA S., YOSHIWATARI S., KOBAYASHI S., SAKURAI K., "Progress in development of high power NPT-IGBT module", ISPSD'98, pp. 285-288, 3-6 June 1998.
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Article : [99ART137]

Titre : MIYASHITA S., YOSHIWATARI S., KOBAYASHI S., SAKURAI K., Progress in development of high power NPT-IGBT module, ISPSD'98, pp. 285-288, 3-6 June 1998.

Cité dans : [CONF007] ISPSD, Internationnal Symposium on Power Semiconductor Devices & Integrated Circuits
Cité dans : [DIV137]  Recherche sur les mots clés : FIABILIT* ou RELIABILITY, octobre 1999.
Auteurs : Miyashita, S.; Yoshiwatari, S.; Kobayashi, S.; Sakurai, K. - Fuji Electr. Co. Ltd., Nagano, Japan

Appears : in Power Semiconductor Devices & ICs, 1998. ISPSD 98. Proceedings of the 10th International Symposium on
Page : 285 - 288
Date : 3-6 June 1998
ISBN : 0-7803-4752-8, IEEE Catalog Number: 98CH36212, Total Pages: xxiii+513, Accession Number : 6090245
Lien : private/Sakurai.pdf - 405 Ko.

Abstract :
This paper introduces the technology for a newly developed 1200
V/600 A 1-in-1 nonpunchthrough IGBT (NPT-IGBT) module. This IGBT
has features such as low power dissipation loss, low noise, soft
switching and high reliability. These features have been realized
by advanced simulation technologies such as device and circuit
simulation, and stress analysis for the 3D-structure.

Subjet_terms :
power bipolar transistors; power NPT-IGBT module; nonpunchthrough
IGBT module; power dissipation loss; noise; soft switching;
reliability; simulation technology; circuit simulation; device
simulation; 3D structure stress analysis; 1200 V; 600 A

Reference_cited : 1

  [1] : [99ART112] J. YAMASHITA, N. SOEJIMA, H. HARUGUCHI, A novel effective switching loss estimation of non-punchthrough IGBTs, ISPSD'97, pp. 109-112


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