P. ROSSETTI, "Glassivation of silicon semiconductor devices", 1971.
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Article : [TRIAC059]

Info : INSPEC Answer Number 1047 - 25/02/2000

Titre : P. ROSSETTI, Glassivation of silicon semiconductor devices, 1971.

Cité dans : [DIV066]  Recherche sur le mot clé : TRIAC*
Auteur : P. Rossetti

Source : Toute l'Electronique no.356
Pages : 20 - 22
Date : June 1971
CODEN : TOELAM
ISSN : 0040-9855
Document_Type : Journal
Treatment_Code : General Review
Info : Country of Publication : France
Language : French
Stockage : Thierry LEQUEU

Abstract :
Previous methods of protecting junctions are reviewed. Use of glass,
which has valuable qualities for the purpose, represents an advance,
first applied to small diodes, then to triacs. Questions discussed
are: choice of type of glass, method of application, avoidance of
bubbles, and provision for leads. Use of glass is thought likely to
increase, and hybrid circuits offer further possibilities.

Accession_Number : 1971:284677


Mise à jour le lundi 25 février 2019 à 15 h 37 - E-mail : thierry.lequeu@gmail.com
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