S. FORSTER, T. LEQUEU, "Phénomène de surtension de gâchette à la fermeture des triacs", EPF'2000, décembre 2000, Lille, pp. 61-66.
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Titre : S. FORSTER, T. LEQUEU, Phénomène de surtension de gâchette à la fermeture des triacs, EPF'2000, décembre 2000, Lille, pp. 61-66.

Cité dans : [CONF005] EPF, Electronique de Puissance du Futur, août 2016.
Cité dans : [DATA124] EPF'2000, Electronique de Puissance du Futur, Lille, 29 novembre - 1 décembre 2000.
Cité dans : [DATA033] Liste des publications de Thierry LEQUEU et activités de recherche, janvier 2018.
Auteur : S. Forster - (a) & (b)
Auteur : T. Lequeu - (a)
(a) LMP-STMicroelectronics, BP 7155, 37071 Tours Cedex 2, France
(b) CLOES, 2 rue E. Belin, 57070 Metz, France

Source : EPF'2000 - Lille - N° 8
Date : du 29 novembre au 1er décembre 2000
Pages : 61 - 66
Lien : private/FORSTER6.pdf - 169 Ko, 6 pages.

Vers : Bibliographie

Résumé :
L’auteur étudie un phénomène physique propre à la structure spécifique du triac. Lorsqu’un
triac est amorcé par un courant de gâchette, il apparaît à la fermeture une surtension entre
gâchette et cathode: c'est le phénomène du « kick back ». Dans les circuits où l’utilisateur
désire contrôler un triac sensible par un micro - contrôleur, il est nécessaire d’introduire un
circuit de protection pour éviter la destruction par la surtension. L’auteur, par l'intermédiaire
de mesures et de simulations, propose des explications pour une meilleure compréhension du
phénomène.


Bibliographie

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Références : 8
[1] : Ph.RABIER, Triac + microcontroller safety precautions for development tool, STMicroelectronics, note d'application AN438, mai 1992.
[2] : G. COANT, Limites de fonctionnement des triacs à la fermeture, rapport de l'EIVL,1998.
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[4] : S.M. SZE, Physics of Semiconductor Devices,Wiley-Interscience, 1981.
[5] : B.J. BALIGA, Power Semiconductor Devices, PWS.
[6] : J.ARNOULD, P.MERLE, Dispositifs de l'électronique de puissance, tome 2, Hermès, 1992, pp.241-248.
[7] : Triac dice, STMicroelectronics, note d'application, 1995.
[8] : I.L. SOMOS, L.O. ERIKSSON, W.H. TOBIN, Understanding dI/dt ratings and life expectancy for thyristors, Power Conversion and Intelligent Motion, 1986, pp.56-59.

  [1] : [TRIAC047] AN438, Ph. RABIER, Triac + microcontroller - Safety précautions dor development tool, application note STMicroelectronics, mai 1992.
  [2] : [THESE053] G. COANT, Limites de fonctionnement des triacs à la fermeture, EIVL, option Microélectronique de Puissance, février-juillet 1998.
  [3] : [SHEET349] J.M. SIMMONET, Analyse du fonctionnement du triac type TOP-Glass par amorçage en dI/dt par la gâchette dans Q2, rapport interne STMicroelectronics, août 1998.
  [4] : [LIVRE245] S.M. SZE, Physics of Semiconductor Devices, 2nd Edition, Willey-interscience, 1981.
  [5] : [LIVRE015] B.J. BALIGA, Power Semiconductor devices, 1996.
  [6] : [LIVRE041] J. ARNOULD, P. MERLE, Dispositif de l'électronique de puissance volume 1 et 2, édition Hermès.
  [7] :  [DIV211]  AN858, SCR's and TRIACS DICE, SGS-THOMSON Microelectronics, note d'application, 1995, 22 pages.
  [8] : [SHEET204] I.L. SOMOS, L.O. ERIKSSON, W.H. TOBIN, Understanding di/dt ratings and life expectancy for thyristors, Power Conversion And Intelligent Motion, pp. 56-59, February 1986.


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