H.B. ASSALIT, W.H. TOBIN, S.J. WU, ""Effect of gate configuration on thyristor plasma properties", IEEE Industry Industry Applications Society, Conference Record, 1978, pp. 1012-1018.
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Titre : H.B. ASSALIT, W.H. TOBIN, S.J. WU, Effect of gate configuration on thyristor plasma properties, IEEE Industry Industry Applications Society, Conference Record, 1978, pp. 1012-1018.

Cité dans : [CONF017] IAS, World Conference on Industrial Applications of Electrical Energy, octobre 2003.
Cité dans :[SHEET196]
Auteur : H.B. Assalit
Auteur : W.H. Tobin
Auteur : S.J. Wu

Lien : SHEET196.HTM#Bibliographie - référence [28]
Source : IEEE Industry Industry Applications Society, Conference Record.
Année : 1978
Pages : 1012 - 1018
Info : complément d'informations INIST le 16 mai 2000.
Stockage : Thierry LEQUEU (27 mai 2000).

Références : 10

  [1] : [SHEET237] I. SOMOS, D.E. PICCONE, Plasma spread in high-power thyristors under dynamic and static conditions, IEEE Trans Electron Devices, vol. ED-17, no. 9, Sept. 1970, pp. 680-687.
  [2] : [SHEET235] I.L. SOMOS, D.E. PICCONE, Temperature excursion in thyristors due to short current pulses during forward conduction and reverse recovery phase, IAS, 1974.

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