V.S. CANDADE, "Sequence test method for reliability evaluation of semiconductor devices", 1981.
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Article : [SHEET165]

Info : INSPEC Answer Number 113 - 22/02/2000

Titre : V.S. CANDADE, Sequence test method for reliability evaluation of semiconductor devices, 1981.

Cité dans : [DATA035] Recherche sur les mots clés thermal + fatigue + semiconductor et reliability + thermal + cycle, mars 2004.
Auteur : Vittal S. Candade, (Bharat Electronics Ltd., Bangalore, India)

Source : Microelectronics and Reliability
Année : 1981
Volume : vol.21, no.2,
Pages : 225 - 229
CODEN : MCRLAS
ISSN : 0026-2714
Document_Type : Journal
Treatment_Code : Theoretical
Info : Country of Publication : United Kingdom
Language : English
Stockage : Thierry LEQUEU

Abstract :
The failure-rate lambda , of a device can be determined using
Arrhenius model lambda =Ae-EKT/. The number of thermal cycles a
device can withstand can be postulated using an exponential model,
N= Theta e-aT. Based on these models, a 'sequence' process of
thermal-fatigue and life tests is arrived at, which makes use of a
mathematical equation giving the rate of decay of MTBF relative to
the number of thermal-cycles, delta =P exp (p. Delta T+(q/T)). In
other words, MTBF of the devices can be reduced by prethermal
cycling.

Accession_Number : 1981:1720328

References : 4 refs.


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