K.J. DITTMER, M.H. POECH, F.W. WULFF, M. KRUMM, "Failure analysis of aluminum wire bonds in high power IGBT modules", Proceedings of the Spring Meeting on MRS, San Francisco, USA, April 1995, pp. 251-256.
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Info : COMPENDEX Answer Number 31 - 22/02/2000

Titre : K.J. DITTMER, M.H. POECH, F.W. WULFF, M. KRUMM, Failure analysis of aluminum wire bonds in high power IGBT modules, Proceedings of the Spring Meeting on MRS, San Francisco, USA, April 1995, pp. 251-256.

Auteur : Dittmer, Klaus J. (CEM GmbH, Neumuenster, Ger)
Auteur : Poech, Max H.
Auteur : Wulff, Frank W.
Auteur : Krumm, Martin

Info : Proceedings of the Spring Meeting on MRS.
Lieu : San Francisco, CA, USA
Date : 17 Apr 1995-20 Apr 1995
Source : Electronic Packaging Materials Science VII Materials Research Society Symposium Proceedings v 390 1995.
Info : Materials Research Society, Pittsburgh, PA, USA.
Pages : 251 - 256
CODEN : MRSPDH
ISSN : 0272-9172
Info : MeetingNumber : 43813 ; Document Type : Conference Article ; Treatment Code : Experimental
Language : English
Stockage : Thierry LEQUEU

Abstract :
The reliability of high power Insulated Gate Bipolar Transistor
(IGBT) modules is mainly limited by the aluminum wire bonds.Bond
failure occurs due to fatigue fracture close to the welded interface
inside the large bonding wire caused by thermal cycling at extreme
operating conditions. This paper presents the results of the
metallographic and electron microscopic examinations of the welded
interface as well as fracture morphology investigations of failed
parts after power cycling.Infrared thermal imaging and
investigations of the stress/strain relationship analyze the
differential expansion caused by temperature distribution and
thermal expansion mismatch between large bonding wire and
semiconductor.(Author abstract)

Références : 6 Refs.

Accession_Number : 1995(50):5182


Mise à jour le lundi 25 février 2019 à 15 h 36 - E-mail : thierry.lequeu@gmail.com
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