Article : [SHEET096]
Titre : W. FICHTNER, T. FEUDEL, K. KELLS, K. LILJA, J. LITSIOS, S. MULLER, N. STRECKER, TCAD in power device design and optimization, IEDM'93.
Cité dans : [CONF033] IEDM, IEEE International Electron Devices Meeting, juin 2002.Auteur : Fichtner, W.
Stockage : Thierry LEQUEU
Lien : private/FICHTNER.pdf - 4 pages, 310 Ko.
Appears : Electron Devices Meeting, 1993. Technical Digest., International
Page : 93 - 96
Date : 5-8 Dec. 1993
ISBN : 0-7803-1450-6, IEEE Catalog Number: 93CH3361-3, Total Pages: 940
Reference_cited : 7
Accession_Number : 4805171
Abstract :
The simulation of power semiconductor devices is faced with
several problems that are not usually found in VLSI device
modeling: the huge and often complicated structures, the
interaction with external circuit environment, the effects of
surface phenomena, etc. The large variety of device structures
and the lack of compact circuit models makes TCAD very important
for the design and optimization of these devices.<>
Subjet_terms :
power electronics; semiconductor device models; CAD;
optimisation; TCAD; design; optimization; simulation; power
semiconductor devices; external circuit; surface phenomena
Mise à jour le lundi 10 avril 2023 à 18 h 59 - E-mail : thierry.lequeu@gmail.com
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