L. LORENZ, M. MAERZ, G. DEBOY, "Improved MOSFET. An important milestone toward a new power MOSFET generation", Powerconversion & Intelligent Motion, September 1998, vol. 24, no. 9, pp. 14-22.

L. LORENZ, M. MAERZ, G. DEBOY, "Improved MOSFET. An important milestone toward a new power MOSFET generation", Powerconversion & Intelligent Motion, September 1998, vol. 24, no. 9, pp. 14-22. Copyright - [Précédente] [Première page] [Suivante] - Home

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Info : INSPEC Answer Number 4 - 13/01/2000

Titre : L. LORENZ, M. MAERZ, G. DEBOY, Improved MOSFET. An important milestone toward a new power MOSFET generation, Powerconversion & Intelligent Motion, September 1998, vol. 24, no. 9, pp. 14-22.

Cité dans :[99DIV127] Recherche sur l'auteur Leo LORENZ, janvier 2000.

Auteur : L. Lorenz
Auteur : M. Maerz
Auteur : G. Deboy (Siemens AG, Munich, Germany)

Source : Powerconversion & Intelligent Motion
Date : Sept. 1998 vol.24, no.9
Pages : 14 - 22
Info : Published by Intertec International
CODEN : PIMOEN
ISSN : 0885-0259
SICI : 0885-0259(199809)24:9L.14:IMIM;1-T
Info : Country of Publication : United States - Language : English
Stockage : Thierry LEQUEU

Abstract :
The authors describe a new generation of power MOSFETs rated up to
1000 V which use IC technologies to produce devices that surpass all
previously known maximum load data with respect to RDS(on), gate
charge and ruggedness.

Accession_Number : 1998:6115361

Référence : 0 refs.

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