H. Onose, T. Yatsuo, A. Watanabe, T. Yokota, T. Ishikawa, I. Sanpei, T. Someya, Y. Kobayashi, "Design Consideration for 2kV SiC-SIT", ISPSD'01.
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Fiche : [PAP442]

Titre : H. Onose, T. Yatsuo, A. Watanabe, T. Yokota, T. Ishikawa, I. Sanpei, T. Someya, Y. Kobayashi, Design Consideration for 2kV SiC-SIT, ISPSD'01.

Cité dans : [CONF007] ISPSD, Internationnal Symposium on Power Semiconductor Devices & Integrated Circuits
Cité dans : [DATA001] T. LEQUEU, Evolution des composants de puissance et des IGBT, mars 2004.
Auteur : H. Onose
Auteur : T. Yatsuo
Auteur : A. Watanabe
Auteur : T. Yokota
Auteur : T. Ishikawa
Auteur : I. Sanpei
Auteur : T. Someya
Auteur : Y. Kobayashi - Hitachi, Japan

Mise à jour le samedi 3 janvier 2026 à 14 h 13 - E-mail : thierry.lequeu@gmail.com
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