B. STAUFF, "Le transistor MOSFET", mémoire de 2ième année d'IUFM, 1998.
Copyright - [Précédente] [Première page] [Suivante] - Home

Article : [PAP162]

Titre : B. STAUFF, Le transistor MOSFET, mémoire de 2ième année d'IUFM, 1998.

Cité dans :[99DIV094] CD ROM, Mémoire d'avenir, Mémoire 1996 à 1999 de physique appliqué.
Cité dans : [DIV166]  Recherche sur les CALC - Circuits d'Aide à La Commutation.
Cité dans : [DATA208] T. LEQUEU, Cours de Composants en Commutation - 2000/2001, IUT GEII 2ème année, option EEP, notes de cours, janvier 2001.

Auteur : Benoit STAUFF - PHYSIQUE APPLIQUEE 1997/1998
Info : suivi par M.BATAILLE

Stockage : Thierry LEQUEU
Lien : private/STAUFF.pdf - 1140 Ko, 40 pages
Info : L'utilisation des mémoires à des fins pédagogiques est autorisée à condition de respecter la propriété intellectuelle de leurs auteurs en les citant. Tout autre type de reproduction, à but lucratif ou non, est soumise à l'autorisation préalable de l'IUFM concerné et des auteurs.

Sujet : LE TRANSISTOR MOS
Le transistor MOS est un des composants de l'électronique de puissance les plus utilisés. Depuis les années soixante,
date de sa sortie en série, il s'est imposé en concurrent direct du classique transistor bipolaire. On se propose, dans les
pages qui suivent, de présenter ce composant, son histoire, son fonctionnement, ses caractéristiques. On étudie, ensuite,
expérimentalement, son comportement en commutation. Cette étude est délibérément allégée en équations, le but recherché
étant d'expliquer plus physiquement que mathémathiquement les phénomènes observés.

Mots_clés : Lilienfeld, effet de champ, Planar, puissance, effet Miller


TABLE DES MATIERES

TOP

I : LE MOS, D'OU CA VIENT 3
II : LE MOS, QU'EST-CE QUE C'EST ? 6
II.1 : PRINCIPAUX SIGLES 6
II.2 : LE TRANSISTOR MOS DANS SON CONTEXTE 6
II.3 : POURQUOI "MOS" ? 7
II.4 : SYMBOLISATION DES MOS 8
II.5 : DIFFÉRENTS TYPES DE MOS 9
III : LE MOS, COMMENT CA FONCTIONNE ? 10
III.1 : AU COMMENCEMENT, LE MOS ÉTAIT HORIZONTAL 10
III.2 : UNE ÉVOLUTION RENVERSANTE : LE MOS DEVIENT VERTICAL ! 13
III.3 : CARACTÉRISTIQUES DU MOS 15
III.4 : AIRE DE SÉCURITÉ 16
III.5 : MODÉLISATION DU MOS 17
IV : LE MOS, COMMENT C'EST FAIT ? 18
V : LE MOS, A QUOI CA SERT ? 21
VI : ETUDE EXPERIMENTALE DU MOS 23
VI.1 : CHOIX DES COMPOSANTS 24
VI.2 : CARACTÉRISTIQUES STATIQUES 25
VI.2.2 : Caractéristique de transfert : C'est la courbe ID = f ( VGS ) pour VDS fixée 28
VI.3 : CARACTÉRISTIQUES QUASI-STATIQUES 28
VI.3.1 : commutations de VDS et ID 30
VI.3.2 : Commutation de VGS 35
VI.4 : PUISSANCE DISSIPÉE DANS LE MOS 37
VI.5 : MESURE DU TEMPS DE COMMUTATION 38
VI.6 : ANALYSE DES RÉSULTATS 38
VII : BIBLIOGRAPHIE 40


Bibliogaphie

TOP

Références : 15
[1] : ARNOULD et MERLE, dispositifs de l'électronique de puissance tome 1
[2] : CHATELAIN, dispositifs à semi-conducteurs
[3] : GIRARD, composants actifs discrets t.2
[4] : GREHANT, physique des semi-conducteurs
[5] : OEHMICHEN, transistors à effet de champ
[6] : TOURET et LILEN, répertoire mondial des transistors à effet de champ
[7] : Magasine Electronique Applications numéros : 21.
[8] : Magasine Electronique Applications numéros : 24.
[9] : Magasine Electronique Applications numéros : 44bis.
[10] : Magasine Electronique Applications numéros : 45.
[11] : Magasine Electronique Applications numéros : 47.
[12] : Magasine Electronique Applications numéros : 50.
[13] : Magasine Electronique Applications numéros : 56.
[14] : Magasine Electronique Applications numéros : 63.
[15] : Document constructeur : IRF 530, International Rectifier, Data Sheet No PD-9.307N

  [1] : [LIVRE041] J. ARNOULD, P. MERLE, Dispositif de l'électronique de puissance volume 1 et 2, édition Hermès.
  [2] : [LIVRE073] J.-D. CHATELAIN, Volume VII : Dispositifs à semiconducteur, 1986.
  [3] : [LIVRE210] M. GIRARD, Exercices corrigés 2. Fonctions à éléments actifs discret, Ediscience International.
  [4] :  [PAP158]  -------
  [5] :  [PAP158]  -------
  [6] :  [PAP158]  -------
  [7] :  [PAP158]  -------
  [8] :  [PAP158]  -------
  [9] :  [PAP158]  -------
 [10] :  [PAP158]  -------
 [11] :  [PAP158]  -------
 [12] :  [PAP158]  -------
 [13] :  [PAP158]  -------
 [14] :  [PAP158]  -------
 [15] :  [DIV126]  T. LEQUEU, Librairie des fichiers PDF de composants, janvier 2019.


Mise à jour le lundi 25 février 2019 à 15 h 34 - E-mail : thierry.lequeu@gmail.com
Cette page a été produite par le programme TXT2HTM.EXE, version 10.7.3 du 27 décembre 2018.

Copyright 2019 : TOP

Les informations contenues dans cette page sont à usage strict de Thierry LEQUEU et ne doivent être utilisées ou copiées par un tiers.
Powered by www.google.fr, www.e-kart.fr, l'atelier d'Aurélie - Coiffure mixte et barbier, La Boutique Kit Elec Shop and www.lequeu.fr.