J.-L. SANCHEZ, P. AUSTIN, R. BERRIANE, M. MARMOUGET, "Trends in design and technology for new power integrated devices based on functional integration", EPE'97, Trondheim, vol. 1, pp. 302-307.
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Article : [PAP007]

Titre : J.-L. SANCHEZ, P. AUSTIN, R. BERRIANE, M. MARMOUGET, Trends in design and technology for new power integrated devices based on functional integration, EPE'97, Trondheim, vol. 1, pp. 302-307.

Cité dans : [CONF004] EPE, European Conference on Power Electronics and Applications, juillet 2012.
Cité dans : [DIV063]  EPE'97, European Conference on POWER ELECTRONICS AND APPLICATIONS, Trondheim, Norvège, septembre 1997.
Cité dans :[99DIV112] Publications du LAAS, janvier 2000.
Cité dans : [DIV203]  Recherche sur les mots clés THYRISTOR* et DUAL*, le 30 mars 2001.
Cité dans :[99ART124]
Cité dans :[THESE009]
Cité dans :[PAP001]

Auteur : J.-L. SANCHEZ
Auteur : P. AUSTIN
Auteur : R. BERRIANE
Auteur : M. MARMOUGET

Revue : EPE'97 - Trondheim
Date : 1997
Volume : 1
Pages : de 1.302 à 1.307
Lien : 99ART124.HTM#Bibliographie - référence [].
Lien : THESE009.HTM#Bibliographie - référence [].
Lien : PAP001.HTM#Bibliographie - référence [].

Stockage : Thierry LEQUEU
Info. :
Mots_clés : Electronique de puissance, integration fonctionnelle de puissance, integrated power devices, functional integration, MOS-Thyristors association

  [1] :  [PAP009]  J.-L. SANCHEZ, R. BERRIANE, J. JALADE, Light Trigged thyristor with a MOS amplyfing gate : an example of galvanically insulated high voltage integrated switch, ISPSD'93, Monterey CA USA, Mai 1993, pp. 281-286.


Mise à jour le lundi 25 février 2019 à 15 h 34 - E-mail : thierry.lequeu@gmail.com
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