G. Busatto, B. Cascone, L. Fratelli, M. Balsamo, F. Iannuzzo, F. Velardi, "Non - destructive high temperature characterisation of high - voltage IGBTs", Microelectronics Reliability, Volume 42, Issues 9-11, September-November 2002, pp. 1635 - 1640
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Titre : G. Busatto, B. Cascone, L. Fratelli, M. Balsamo, F. Iannuzzo, F. Velardi, Non - destructive high temperature characterisation of high - voltage IGBTs, Microelectronics Reliability, Volume 42, Issues 9-11, September-November 2002, pp. 1635 - 1640

Cité dans :[REVUE377] Elsevier Science, Microelectronics Reliability, Volume 42, Issues 9-11, Pages 1249-1822, September - November 2002.
Cité dans : [DIV312]  ESREF'2002, 13th European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis, du 7 au 11 octobre 2002, Bellaria, Rimini, Italie.
Auteur : G. Busatto, B. Cascone, L. Fratelli, M. Balsamo, F. Iannuzzo and F. Velardi

Source : Microelectronics Reliability
Volume : 42
Issues : 9-25
Pages : 1635 - 1640
Date : September - November 2002
Lien : vide.pdf (1861 K)


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