F. RICHARDEAU, "Sûreté de Fonctionnement en Electronique de Puissance", mémoire d'Habilitation à Diriger la Recherche, 17 juin 2004.
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Thèse : [THESE136]

Titre : F. RICHARDEAU, Sûreté de Fonctionnement en Electronique de Puissance, mémoire d'Habilitation à Diriger la Recherche, 17 juin 2004.

  [1] :  [PAP158]  -------
Auteur : Frédéric Richardeau

Mémoire : Habilitation à Diriger la Recherche
Date : le 17 juin 2004
Lieu : à l'ENSEEIHT Toulouse
Jury :
- COQUERY Gérard (Rapporteur)
- DANTO Yves (Président et Rapporteur)
- SCHAEFFER Christian (Rapporteur)
- BINET Max
- FOCH Henri
- FOREST François
- PEZZANI Robert
- SANCHEZ Jean Louis


Sommaire

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A) Introduction générale 1 - 26
B) Synthèse des résultats de recherche 27 - 101
C) Perspectives de recherche 103 - 123
Annexe : Production scientifique et encadrement 125 - 137
Bibliographie 139 - 141


Bibliographie

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1) Ouvrages de référence, documents et thèses
Contribution à l'identification et à l'estimation des contraintes de fatigue thermique des convertisseurs
intégrés pour la traction électrique, Stéphane Carubelli, thèse de l'Université Henri Poincaré, Nancy I,
LTN-INRETS, 25 septembre 2003.

Approche distribuée des structures de type bipolaire adaptée à la conception des systèmes de
l'électronique de puissance, Guillaume Bonnet, thèse de l'Université Paul Sabatier, LAAS, 19 février
2003.

Contribution à l'intégration hybride de puissance. Etude de l'environnement diélectrique des semi-conducteurs,
Fabrice Breit, thèse de l'Université Paul Sabatier, septembre 2003.

Practical Reliability Engineering, P. D. T. O'Connor, Wiley, 2002.

Fiabilité fonctionnelle et mécanismes de dégradation des Triacs soumis aux chocs thermiques par di/dt à
la fermeture, Stéphane Forster, thèse de l'Université de Metz, 10 septembre 2002.

Static and Dynamic Thermal Behaviour of IGBT Power Modules, Chan-Su Yun, Ph.D., Swiss Federal
Institute of Technology, Zurich, n° 13784, 2001.

Some Reliability Aspects of IGBT Modules for High-Power Applications, Mauro P.M. Ciappa, Ph.D.,
Swiss Federal Institute of Technology, Zurich, 2000.

Contribution au développement d'outils d'aide à la conception de dispositifs de puissance basés sur le
mode d'intégration fonctionnelle, Marc Marmouget, thèse de l'INSA Toulouse, LAAS, 30 juin 2000.

Contribution à la fiabilité des interrupteurs haute tension matriciels, Yvan Lausenaz, thèse de l'Université
d'Aix- Marseille, 29 septembre 2000.

Recueil de données de fiabilité, RDF 2000, UTE C80-810, juillet 2000.

Contribution à la caractérisation et à la modélisation de l'IGBT en vue d'une hybridation destinée à
fonctionner à température élevée pour véhicule électrique, Stéphane Azzopardi, thèse de l'Université de
Bordeaux I, 11 décembre 1998.

Surveillance et diagnostic d'état des convertisseurs électrolytiques dans les convertisseurs statiques,
Amine Lahyani, thèse de l'Université Claude Bernard, 26 février 1998.

Etude d'associations Mos-Thyristor autoamorçables et blocables. Exemple de l'intégration de la fonction
thyristor-dual, Marie Breil, thèse de l'INSA de Toulouse, LAAS, 7 janvier 1998.

Etude et conception de micro-disjoncteurs intégrés basées sur le mode d'intégration fonctionnelle, Olivier
Guillemet, thèse de l'Université Paul Sabatier, LAAS, 5 février 1998.

Comportement des semi-conducteurs de puissance dans leur environnement de commutation par
modélisation douce, Jean-Michel Li, Habilitation à Diriger des Recherches, Université des Sciences
d'Aix- Marseille, Faculté de Saint-Jérôme, 1998.

Etude de la fiabilité des mises en série de composants Mosfet, Yvan Lausenaz, mémoire de DEA Génie
Electrique, Faculté des Sciences et Techniques de Saint-Jérôme, 1997.

Etude des défauts dans les associations onduleur – machine asynchrone. Exemple d'une chaîne de
traction, Nicolas Retière, thèse de l'INPG, 18 novembre 1997.

Etude de l'intégration d'une protection par fusible dans les convertisseurs à IGBT, Viet-Son Duong, thèse
de l'INPG, 3 juillet 1997.

Failure Mechanisms in Semiconductor Devices, second edition, E. Ajith Amerasekera, Farid N. Najm, Wiley, 1997..140

Participation à l'étude du comportement électrothermique des IGBT, Francis Calmon, thèse de l'INSA de
Lyon, 20 juillet 1995.

Electronic Component Reliability, Finn Jensen, Wiley, 1995.

Diagnostic des défaillances, Gilles Zwingelstein, Hermes, 1995.

Fiabilité des systèmes, Jean-Louis Bon, Masson, 1995.

Etude du comportement électrique de transistor de puissance pour l'automobile en haute température,
Qiang Liu, thèse de l'INSA de Lyon, 20 décembre 1994.

Contribution à la caractérisation de l'IGBT en commutation à zéro de courant, Stéphane Lefebvre, thèse
de l'ENS Cachan, 23 février 1994.

Tolérance aux fautes, sécurité et protection dans les systèmes répartis, Yves Dewarte, Rapport LAAS
n°90.217, 1993.

Modern Power Devices, B. Jayant Baliga, Wiley, 1992.

Etude et modélisation du comportement électrique des diodes de puissance en haute température, Salah
Gamal, thèse de l'INSA de Lyon, 15 avril 1992.

Accelerated Testing, Wayne Nelson, Wiley, 1990.

Sûreté de fonctionnement des systèmes industriels, Alain Villemeur, Collection de la DER EdF, Eyrolles, 1988.

Physique des composants actifs à semi-conducteurs, P. Leturcq, G. Rey, Dunod (épuisé), 1978.

2) Publications
Repetitive short circuit behaviour of trench – field stop IGBT, B.Gustmann, P.Kanschat, M.Münzer, M.
Pfaffenlehner, T.Laska, PCIM 2003.

Influence of repetitions of short-circuits conditions on IGBT lifetime, F.Saint-Eve, S.Lefebvre, Z.Khatir,
EPE 2003.

Selected failure mechanisms of modern power m odules, M.Ciappa, Microelectronics Reliability, 2002,
n°42, pp. 653-667.

Innovative press pack modules for high power IGBT, S.Kaufmann, T.Lang, R.Chokhawala, ISPSD, juin
2001.

Reliability of non-hermetic pressure contact IGBT Modules, R.Schlegel, E.Herr, F.Richter,
Microelectronics Reliability, n°41, 2001, pp. 1689-1694.

Failure criteria for long term accelerated power cyclcing test linked to electrical turn-off SOA on IGBT
module. A 4000 hours test on 1200A – 3300V module with AlSiC base plate, G.Coquery, R.Lallemand,

Microelectronics Reliability, n°40, 2000, pp. 1665-1670.
Pressure contact IGBT, testing for reliability, F. Wakeman, D. Hemmings, W. Findlay, G. Lockwood,
PCIM 2000, pp. 73-78.

Physical limits and lifetime limitation of semiconductor devices at high temperatures, W.Wondrak,
Microelectronics Reliability, n°39, 1999, pp. 1113-1120.

Lifetime extrapolation for IGBT modules under realistic operation condiction, M.Ciappa, P.Alberti,
W.Fichtner, P.Cova, L.Cattani, F.Fantini, Microelectronics Reliability, n°39, 1999, pp. 1131-1136..141

Reliability and lifetime evaluation of different wire bonding technologies for high power IGBT modules,
A.Hamidi, N.Beck, K.Thomas, E.Herr, Microelectronics Reliability, n°39, 1999, pp. 1153-1158.

Fatigue thermique des modules hybrides de forte puissance, G.Coquery, LTN-Inrets, recueil des
communication de la session plénière du GdR ISP, 12 mars 1998.

Switching Voltage Transient Protection Schemes for High-Current IGBT Modules, R.S. Chokhawala, S.
Sobhani, IEEE Trans. on Industry Application, Vol. 33, N°6, novembre/décembre 1997, pp. 1601-1610.

Protection Concepts for Rugged IGBT Modules, S. Konrad, I. Zvrev, EPE journal, Vol. 6, n°3-4,
décembre 1996, pp. 11-19.

Détection et diagnostic de pannes sur processus, Bernard Dubuisson, Techniques de l'Ingénieur, R7597,
1989.

Failure diagnosis in medium power semiconductors, P.Aloisi, EPE 1987, Florence.
Understanding di/dt ratings and life expectancy for thyristors, I.L.Somos, L.O.Eriksson, W.H.Tobin, PCIM
1986, pp. 56-59.

Power Mosfet Failure Revisited, David Blackburn, Pesc 1988, pp. 681-688.
Fiabilité, Paul Blanquart, Jean-Claude Roncin, Techniques de l'Ingénieur, E1420, 1981.

Introduction à la conception de la sûreté, cahier technique, P. Bonnefoi, Merlin Gerin (date de parution
non connue).


Mise à jour le lundi 25 février 2019 à 15 h 37 - E-mail : thierry.lequeu@gmail.com
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