S. AZZOPARDI, "Contribution à la caractérisation et à la modélisation de l'IGBT en vue d'une hybridation destinée à fonctionner à température élevée pour le véhicule électrique", 1998, 392 pages.
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Thèse : [THESE112]

Titre : S. AZZOPARDI, Contribution à la caractérisation et à la modélisation de l'IGBT en vue d'une hybridation destinée à fonctionner à température élevée pour le véhicule électrique, 1998, 392 pages.

Cité dans : [DATA147] IXL, Laboratoire IXL, Université de Bordeaux, Talence, France, http://www.ixl.u-bordeaux.fr
Cité dans : [DIV289]  Recherche sur l'auteur Christian ZARDINI, juillet 2004.
Auteur : STEPHANE AZZOPARDI

Directeur : Christian ZARDINI
Date : 1998
Editeur : [S.l.] : [s.n.]
Pages : 1 - 392
Info : Numéro de notice: 049571729 / TH. DOCT. : SCIENCES APPLIQUEES : BORDEAUX 1 : 1998
Références : 210 REF.
Sujets : SCIENCES APPLIQUEES : ELECTROTECHNIQUE
ELECTROENERGETIQUE/ELECTRONIQUE
ELECTRONIQUE PUISSANCE/TRANSISTOR BIPOLAIRE GRILLE ISOLEE/VEHICULE, ELECTRIQUE/COMPORTEMENT HAUTE, TEMPERATURE/MECATRONIQUE/SIMULATION/MODELISATION/MODELE
PHYSIQUE/MODELE 2 DIMENSIONS/METHODE NON DESTRUCTIVE/EXTRACTION
PARAMETRE/CARACTERISTIQUE THERMIQUE/PROPRIETE
THERMOMECANIQUE/FIABILITE/COMMUTATION/MATERIAU COMPOSITE/SILICIUM
CARBURE/NA/COMPOSE BINAIRE/ALUMINIUM/FX/COMMUTATION DURE SANS
INFLUENCE DE LA DIODE DE ROUE LIBRE/COMMUTATION DURE SANS DIODE DE
ROUE LIBRE
POWER ELECTRONICS/INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR/ELECTRIC
VEHICLE/HIGH TEMPERATURE SERVICE
BEHAVIOUR/MECHATRONICS/SIMULATION/MODELING/PHYSICAL MODEL/TWO
DIMENSIONAL MODEL/NON DESTRUCTIVE METHOD/PARAMETER
EXTRACTION/THERMAL CHARACTERISTIC/THERMOMECHANICAL
PROPERTIES/RELIABILITY/SWITCHING/COMPOSITE MATERIAL/SILICON
CARBIDES/NC/NA/BINARY COMPOUND/ALUMINIUM/NC/FR/FX

Title : CHARACTERIZATION AND MODELING IGBTS CONTRIBUTION FOR HYBRID POWER MODULE DESIGN OPERATING AT HIGH TEMPERATURE FOR ELECTRIC VEHICLE (eng)
Langue: Français

Résumé: CES TRAVAUX CONCERNENT LA CARACTERISATION ET LA MODELISATION
DE L'IGBT FONCTIONNANT A TEMPERATURE ELEVEE. ILS ONT POUR BUT DE
CONCEVOIR UN MODULE HYBRIDE DE PUISSANCE A IGBT TRES FIABLE QUI
PUISSE ETRE REPORTE SUR LA CARCASSE D'UN MOTEUR DE TRACTION
ELECTRIQUE, DE MANIERE A REALISER UNE INTEGRATION MECATRONIQUE. POUR
CE FAIRE, UNE METHODE NON DESTRUCTIVE D'EXTRACTION DE PARAMETRES
TECHNOLOGIQUES BASEE SUR DES MESURES ELECTRIQUES SIMPLES A ETE
DEVELOPPEE, QUI PERMET DE SIMULER LA STRUCTURE PHYSIQUE
BIDIMENSIONNELLE DE L'IGBT ASYMETRIQUE. UNE BONNE SIMILITUDE DES
RESULTATS EXPERIMENTAUX ET SIMULES A PERMIS DE VALIDER CETTE
APPROCHE. AINSI, CETTE METHODE A PERMIS D'ANALYSER L'INFLUENCE DE LA
TEMPERATURE SUR LE COMPORTEMENT PHYSIQUE INTERNE DU TRANSISTOR EN
MODE STATIQUE (CARACTERISTIQUE STATIQUE I#C(V#C#E), CLAQUAGE,
LATCH-UP) ET DYNAMIQUE. L'ANALYSE DE LA COMMUTATION DURE DE L'IGBT A
TEMPERATURE ELEVEE SUR CHARGE INDUCTIVE SANS INFLUENCE DE LA DIODE
DE ROUE LIBRE A PERMIS DE RELEVER LES CARACTERISTIQUES PROPRES DU
TRANSISTOR. LES RESULTATS MONTRENT LES BONNES PERFORMANCES DES IGBT
SYMETRIQUES COMPARES AUX IGBT ASYMETRIQUES, ET CECI JUSQU'A 200C.
L'ETUDE ORIGINALE DE LA COMMUTATION DURE DE L'IGBT SANS DIODE DE
ROUE LIBRE A PERMIS DE METTRE EN EVIDENCE LA TRES GRANDE ROBUSTESSE
DES IGBT SYMETRIQUES PAR RAPPORT AUX IGBT ASYMETRIQUES QUI
PRESENTENT DES DEFAILLANCES INITIEES PAR LE PHENOMENE DE SECOND
CLAQUAGE D'ORIGINE THERMIQUE. A CE STADE, IL APPARAIT QUE L'IGBT
PEUT FONCTIONNER A TEMPERATURE ELEVEE. AFIN DE REALISER UNE
INTEGRATION MECATRONIQUE, DES MODULES HYBRIDES DE PUISSANCE
OPTIMISES SUR LE PLAN THERMOMECANIQUE ONT ETE CONCUS POUR
FONCTIONNER A DES TEMPERATURES ELEVEES. L'UTILISATION DE SUBSTRAT
DBC ET DE SEMELLES EN MATERIAU COMPOSITE A1/SIC A PERMIS D'ACCROITRE
CONSIDERABLEMENT LA FIABILITE DES ASSEMBLAGES GRACE A UNE TRES BONNE
ADAPTATION DES COEFFICIENTS DE DILATATION THERMIQUE.

Mots_cles : IGBT, Fonctionnement à température élevée, Assemblages Hybrides, Modules de Puissance, Matériaux Composites (Metal Matrix Composites), Véhicule Electrique.


Mise à jour le lundi 25 février 2019 à 15 h 37 - E-mail : thierry.lequeu@gmail.com
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