J. RIOS, "Etude et conception de dispositifs mos-thyristor autoamorcables et à blocage commande", 1996.
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Thèse : [THESE076]

Titre : J. RIOS, Etude et conception de dispositifs mos-thyristor autoamorcables et à blocage commande, 1996.

Auteur : Jose RIOS

Info : study and design of self-fired, controlled turn off mos-thyristor devices
Directeur : Sanchez (J.-L.)
Nature : sciences et techniques : électronique clés
Mot_clés : étude théorique - simulation - vérification expérimentale - caractéristique électrique - amorçage - thyristor interrupteur - circuit intègre - technologie MOS - intégration fonctionnelle - thyristor dual
Date : 1996
Lieu : Toulouse 3
Nature : th. doct.
Identification : 96tou30014

Résumé :
Le travail présenté dans ce mémoire concerne l'intégration de nouvelles fonctions interrupteurs
basées sur le concept d'intégration fonctionnelle. dans nombreux convertisseurs d'énergie électrique
c'est la fonction duale du thyristor qui est utilisée. aucun composant discret n'assure actuellement
cette fonction qui est synthétisée a l'aide de dispositifs de type transistors (bipolaires, MOS,
IGBT) de diodes et d'un circuit logique spécifique. dans le premier chapitre nous avons évalué les
potentialités offertes par le concept d'intégration fonctionnelle pour intégrer cette fonction.
Nous nous sommes consacre à l'étude du cur de la fonction thyristor dual constitue par une
association mos-thyristor à amorçage spontané et blocage commande dont la transposition dans le
silicium conduit, soit à une architecture 4 couches, soit à une architecture 5 couches. le deuxième
chapitre est consacre à l'étude et à la modélisation de ces deux structures. une première approche
analytique a permis de mettre en évidence l'influence des principaux paramètres physiques et
technologiques sur les caractéristiques électriques. des simulations bidimensionnelles de ces
structures effectuées avec le logiciel pisces basé sur la résolution des équations de
semi-conducteurs, ont permis de vérifier leur fonctionnalité et d'optimiser les paramètres physiques
et géométriques en fonction des caractéristiques électriques souhaitées. dans la perspective de
réaliser ces dispositifs nous avons optimise, dans le troisième chapitre, le processus technologique
de fabrication a l'aide du logiciel de simulation suprem iv en fonction des paramètres électriques
et physiques précédemment définis. pour la structure 4 couches des dispositifs multicellulaires test
ont été réalisés a partir d'un processus de fabrication MOS-bipolaire du type IGBT (ou thyristor MOS).
La caractérisation de ces éléments tests nous a permis de vérifier que l'autoamorcage est obtenu pour
de faibles tension d'anode avec des courants de déclenchement très faibles.


Mise à jour le lundi 25 février 2019 à 15 h 37 - E-mail : thierry.lequeu@gmail.com
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