M. DESTOUCHES, " Etude d'un variateur de lumière tout silicium compatible CEM", rapport de stage EIVL, février-juin 1999.
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Rapport : [THESE061]

Titre : M. DESTOUCHES, Etude d'un variateur de lumière tout silicium compatible CEM, rapport de stage EIVL, février-juin 1999.

Cité dans : [DIV121]  Liste des rapports de stages IUT, DEA, P2I EIT, stages de fin d'études, avril 2013.
Auteur : M. Mikael DESTOUCHES

Date : février-juin 1999
Service : Laboratoire d'Application
Responsable : Laurent GONTHIER, Laboratoire d'Application STMicroelectronics, BP7155, 16, rue Pierre et Marie CURIE, 37071 TOURS Cedex 2.
Info : EIVL option Microélectronique de Puissance, ECOLE D'INGENIEURS DU VAL DE LOIRE, Rue de la Chocolaterie, BP 3410, 41034 BLOIS Cedex
Stockage : bibliothèque LMP

SOMMAIRE :

I. PRESENTATION DU GROUPE STMICROELECTRONICS. 5
I.1. Le groupe ST. 5
I.2. Le site de TOURS. 6
I.3. Le Laboratoire de Micro-électronique de Puissance (LMP). 7

II. PRESENTATION DU SUJET DE STAGE. 8
II.1. Présentation de I'IGTH 8
II.2. Sujet du stage 9

III. CARACTERISATION DE COMPOSANTS A GRILLE ISOLEE 10
III.1. Analyse théorique de l'amorçage d'un IGBT 10
III.2. Capacités caractéristiques. 11
III.2.1. Définitions 11
III.2.2. Principe de mesure. 12
III.3. Tension de seuil et Transconductance 14
I1I.3.1. Définitions 14
III.3.2. Méthodes de mesure

IV. CONTRAINTES POUR LE VARIATEUR DE LUMIERE. 15
IV.1. La norme EN55014 15
IV.2. Caractéristiques de fonctionnement du variateur 16
IV.2.1. Analyse théorique de la commutation. 16
IV.2.2. Mesures sur un variateur de lumière avec une lampe de 100W 17

V. EVALUATION DES PERTURBATIONS A LA COMMUTATION 19
V.1. Méthode d'évaluation des perturbations sous MATLAB 19
V.1. Introduction
V.1.2. Principe du calcul. 19
V.1.3. Enregistrement d'un signal sur un oscilloscope Tektronix 20
V.1.4. Utilisation de MATLAB. 20
V.1.5. Validation des résultats 22
V.2. Mesures sur différents composants MOS. 26
V.3. Ètude de I'IGTH 28
V.3.1. Choix des éléments de puissance 28
V.3.2. Choix du circuit de grille 30
V.3.3. Influence de la diode Zener Zg. 34
V.3.4. Etude du changement de Von (IGBT - thyristor) 36

Références : 9


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