K. REINMUTH, H. AMANN, "The ruggedness of paralleled power MOSFET's", EPE Brighton, 1993, pp. 380-384.

K. REINMUTH, H. AMANN, "The ruggedness of paralleled power MOSFET's", EPE Brighton, 1993, pp. 380-384. Copyright - [Précédente] [Première page] [Suivante] - Home

Article : [SHEET279]

Titre : K. REINMUTH, H. AMANN, The ruggedness of paralleled power MOSFET's, EPE Brighton, 1993, pp. 380-384.

Cité dans : [DIV133]  EPE'93, European Conference on Power Electronics and Applications, Brigthon, Angleterre, 13-16 septembre 1993.
Cité dans :[SHEET155]

Auteur : Reinmuth K.
Auteur : Amann H.

Lien : SHEET155.HTM#Bibliographie - référence [20]
Source : EPE Brighton.
Année : 1993
Pages : 380 - 384
Stockage :

Mise à jour le samedi 3 janvier 2026 à 14 h 17 - E-mail : thierry.lequeu@gmail.com
Cette page a été produite par le programme TXT2HTM.EXE, version 10.7.3 du 27 décembre 2018.

Les informations contenues dans cette page sont à usage strict de Thierry LEQUEU et ne doivent être utilisées ou copiées par un tiers.
Powered by www.google.fr, www.e-kart.fr, l'atelier d'Aurélie - Coiffure mixte et barbier, Maelline Travel Planner - Organisatrices de voyage sur mesure, La Boutique Kit Elec Shop and www.lequeu.fr.