BORRAS0 R., ALOISI P., SUMATE D., "Avalanche capability of today's power semiconductors", EPE Brighton, vo1.2 Materials and Devices, 1993, pp. 167-172.

BORRAS0 R., ALOISI P., SUMATE D., "Avalanche capability of today's power semiconductors", EPE Brighton, vo1.2 Materials and Devices, 1993, pp. 167-172. Copyright - [Précédente] [Première page] [Suivante] - Home

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Titre : BORRAS0 R., ALOISI P., SUMATE D., Avalanche capability of today's power semiconductors, EPE Brighton, vo1.2 Materials and Devices, 1993, pp. 167-172.

Cité dans :[99DIV110] Recherche sur l'auteur Philippe LETURCQ
Cité dans : [DIV133]  EPE'93, European Conference on Power Electronics and Applications, Brigthon, Angleterre, 13-16 septembre 1993.
Cité dans :[SHEET155]

Auteur : Borras R.
Auteur : Aloisi P.
Auteur : Shumate D.

Lien : SHEET155.HTM#Bibliographie - référence [6]
Source : EPE Brighton, vo1.2 Materials and Devices
Année : 1993
Pages : 167 - 172
Stockage :

Mise à jour le lundi 10 avril 2023 à 18 h 59 - E-mail : thierry.lequeu@gmail.com
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