Article : [SHEET236]

Info : INSPEC Answer Number 24, le 16/03/2000.

Titre : Recovery charge in silicon diodes and thyristor, 1972.

Cité dans : [DATA050] Recherche sur l'auteur S. JANUSZEWSKI

Source : Elektronika (1972) no.10,
Année : 1972
Pages : 398 - 404
References : 9 refs.
CODEN : EKNTBZ
ISSN : 0033-2089
Document_Type : Journal
Treatment_Code : Experimental
Info : Country of Publication : Poland
Language : Polish
Stockage :

Abstract :
Measuring methods and test results of the recovery charge in silicon
power diodes and thyristors are described. Recovery charge characteristics
plotted against reverse recovery current rise, junction temperatures and
peak values of forward current are given.

Accession_Number : 1973:479031

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