Revue : [REVUE331]

Titre : Elsevier Science, Microelectronics Reliability, Volume 37, Issue 1, Pages 3-186 (January 1997.

Cité dans : [DATA197] Les revues Microelectronics Reliability et Microelectronics Journal, ELSEVIER, décembre 2004.

Volume : 37, Issue 1,
Pages : 3-186 (January 1997)

[1] : Toward a building-in reliability approach, Pages 3-18
Harry A. Schafft, David L. Erhart and Warren K. Gladden
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[2] : Scaling down and reliability problems of gigabit CMOS circuits, Pages
19-37
W. H. Krautschneider, A. Kohlhase and H. Terletzki
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[3] : Failure analysis in halfmicron and quartermicron eras, Pages 39-52
Shigeru Nakajima and Tadao Takeda
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[4] : The impact of the substrate preamorphisation on the electrical
performances of p+/n silicon junction diodes, Pages 53-60
M. Minondo, J. Boussey and G. Kamarinos
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[5] : Comparison of self-heating effect in GAA and SOI mosfets, Pages 61-75
P. Francis, J. P. Colinge and D. Flandre
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[6] : Temperature coefficient of resistance fluctuations during electromigration
in Al lines, Pages 77-85
C. Ciofi and S. Di Pascoli
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[7] : Resistance noise measurement: a better diagnostic tool to detect stress
and current induced degradation, Pages 87-93
L. K. J. Vandamme and A. J. van Kemenade
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[8] : Criteria to reduce failures induced from conveyed electromagnetic
interferences on CMOS operational amplifiers, Pages 95-113
S. Graffi, G. Masetti and A. Piovaccari
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[9] : CMOS VLSI reliability test model, Pages 115-120
Boris Lisenker and Yosef Nevo
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[10] : Improved understanding of physical defect mechanisms using fault
simulation, Pages 121-135
Terry C. Garyet and Nicholas Dickson
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[11] : Symbolic fault modelling of MOS combinational circuits, Pages 137-157
Predrag M. Petkovi, Dragia P. Milovanovi and Vano B. Litovski
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[12] : Effect of deposition conditions on stability of sputtered oxide in MOS
structures, Pages 159-169
Emil V. Jelenkovic and K. Y. Tong
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[13] : Observation of DC currents induced in MOS capacitors during NBTS aging,
Pages : 171-177
Deren Lu and Baoqing Li
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[14] : Analysis for the reliability of the intrinsic base ion implantation of a 3
GHZ I2L bipolar process from the measure of integrated resistances: From
the results, setting of rules for an expert system, Pages 179-186
J. -L. Loheac, F. Raoult, O. Bonnaud and M. Taurin
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