Revue : [REVUE299]

Titre : Elsevier Science, Microelectronics Reliability, Volume 38, Issue 11, Pages 1647-1801 (November 1998.

Cité dans : [DATA197] Les revues Microelectronics Reliability et Microelectronics Journal, ELSEVIER, décembre 2004.

Volume : 38, Issue 11,
Pages : 1647-1801 (November 1998)
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[1] : Editorial, Page 1647
Lien : vide.pdf - Format-PDF (78 K)

[2] : The impact of MOSFET technology evolution and scaling on electrostatic
discharge protection, Pages 1649-1668
Steven H. Voldman
Lien : vide.pdf - | Article | Journal Format-PDF (1903 K)

[3] : ESD protection in thin film silicon on insulator technologies, Pages
1669-1680
J. C. Smith
Lien : vide.pdf - | Article | Journal Format-PDF (925 K)

[4] : ESD protection techniques for high frequency integrated circuits, Pages
1681-1689
G. Croft and J. Bernier
Lien : vide.pdf - | Article | Journal Format-PDF (253 K)

[5] : Designing power supply clamps for electrostatic discharge protection of
integrated circuits, Pages 1691-1703
T. J. Maloney
Lien : vide.pdf - | Article | Journal Format-PDF (395 K)

[6] : ESD failure analysis methodology, Pages 1705-1714
J. Colvin
Lien : vide.pdf - | Article | Journal Format-PDF (321 K)

[7] : ESD laboratory simulations and signature analysis of a CMOS programmable
logic product, Pages 1715-1721
L. G. Henry, T. Raymond, M. Mahanpour and I. Morgan
Lien : vide.pdf - | Article | Journal Format-PDF (422 K)

[8] : ESD robustness prediction and protection device design in partially
depleted SOI technology, Pages 1723-1731
P. Raha, J. C. Smith, J. W. Miller and E. Rosenbaum
Lien : vide.pdf - | Article | Journal Format-PDF (748 K)

[9] : Study of the ESD behavior of different clamp configurations in a 0.35 m
CMOS technology, Pages 1733-1739
C. Richier, N. Maene, G. Mabboux and R. Bellens
Lien : vide.pdf - | Article | Journal Format-PDF (344 K)

[10] : On the use of n-well resistors in ESD protections, Pages 1741-1748
G. Notermans
Lien : vide.pdf - | Article | Journal Format-PDF (572 K)

[11] : Unique ESD failure mechanisms during negative to Vcc HBM tests, Pages
1749-1761
M. Chaine, S. Smith and A. Bui
Lien : vide.pdf - | Article | Journal Format-PDF (905 K)

[12] : An attempt to explain thermally induced soft failures during low level ESD
stresses: study of the differences between soft and hard NMOS failures,
Pages : 1763-1772
P. Salome, C. Leroux, D. Mariolle, D. Lafond, J. P. Chante, P. Crevel and
G. Reimbold
Lien : vide.pdf - | Article | Journal Format-PDF (532 K)

[13] : Does the ESD-failure current obtained by transmission-line pulsing always
correlate to human body model tests?, Pages 1773-1780
W. Stadler, X. Guggenmos, P. Egger, H. Gieser and C. Musshoff
Lien : vide.pdf - | Article | Journal Format-PDF (661 K)

[14] : ESD issues in compound semiconductor high-frequency devices and circuits,
Pages : 1781-1793
K. Bock
Lien : vide.pdf - | Article | Journal Format-PDF (1598 K)

[15] : Novel concept for high level overdrive tolerance of GaAs based FETs, Pages
1795-1801
K. M. Lipka, P. Schmid, M. Birk, M. Demmler, J. Schneider, B. Splingart,
P. J. Tasker, H. Heinecke and E. Kohn
Lien : vide.pdf - | Article | Journal Format-PDF (535 K)

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