M. A. ALAM, B. WEIR, P. SILVERMAN, J. BUDE, A. GHETTI, T. MA, M.M. BROWN, D. HWANG, A. HAMAD, "Physics and Prospects of Sub-2nm Oxides", The Physics and Chemistry of SiO2 and the Si-SiO2 Interface, Electrochemical Society, 2000, pp. 365-376.

M. A. ALAM, B. WEIR, P. SILVERMAN, J. BUDE, A. GHETTI, T. MA, M.M. BROWN, D. HWANG, A. HAMAD, "Physics and Prospects of Sub-2nm Oxides", The Physics and Chemistry of SiO2 and the Si-SiO2 Interface, Electrochemical Society, 2000, pp. 365-376. Copyright - [Précédente] [Première page] [Suivante] - Home

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Titre : M. A. ALAM, B. WEIR, P. SILVERMAN, J. BUDE, A. GHETTI, T. MA, M.M. BROWN, D. HWANG, A. HAMAD, Physics and Prospects of Sub-2nm Oxides, The Physics and Chemistry of SiO2 and the Si-SiO2 Interface, Electrochemical Society, 2000, pp. 365-376.

Cité dans :[PAP285]

Auteur : M. A. Alam
Auteur : B. Weir
Auteur : P. Silverman, J. Bude, A. Ghetti, T. Ma, M.M. Brown, D. Hwang, A. Hamad

Stockage : Thierry LEQUEU, le 14 juin 2001.
Lien : PAP285.HTM#Bibliographie - référence [10].
Source : The Physics and Chemistry of SiO2 and the Si-SiO2 Interface, Electrochemical Society
Date : 2000
Pages : 365 - 376
Références : 25

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