N. IDIR, H. SAWEZYN, J.J. FRANCHAUD, R. BAUSIERE, "Commande CATS : Evaluation de la robustesse et application à l'asservissement de la commande à la fermeture".EPF'2000, 29 nov./1dec. 2000, p. 365-370, Lille, France.
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Article : [PAP260]

Titre : N. IDIR, H. SAWEZYN, J.J. FRANCHAUD, R. BAUSIERE, Commande CATS : Evaluation de la robustesse et application à l'asservissement de la commande à la fermeture.EPF'2000, 29 nov./1dec. 2000, p. 365-370, Lille, France.

Cité dans : [DATA124] EPF'2000, Electronique de Puissance du Futur, Lille, 29 novembre - 1 décembre 2000.
Auteur : N. IDIR
Auteur : H. SAWEZYN
Auteur : J.J. FRANCHAUD
Auteur : R. BAUSIERE

Source : EPF'2000, Lille, France.
Date : 29 nov./1dec. 2000
Pages : 365 - 370
Stockage : Thierry LEQUEU

Résumé :
L'introduction de paliers intermédiaires dans la tension de commande des transistors à grille isolée (MOSFET ou IGBT) permet de contrôler le di/dt à la mise en conduction et le dv/dt au blocage.
La réduction des gradients de courant et de tension durant les commutations entraîne une diminution des perturbations HF générées par les interrupteurs de puissance.
Nous présentons ici les résultats de l'étude de la sensibilité de ces gradients de courant ou de tension aux différents paramètres imposés par la commande ou par l'environnement: hauteur et durée du palier pour la commande, courant et tension à commuter pour le circuit extérieur ainsi que la température du boîtier.
Ces résultats montrent que les paramètres extérieurs ont peu d'influence sur les gradients qu'impose la commande. Cela nous a permis de mettre au point pour la mise en conduction une commande par palier en boucle fermée dans laquelle la durée du palier intermédiaire est déterminée à partir de l'évolution de la tension aux bornes du transistor.


Bibliographie

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Références : 4
  [1] :  [PAP259]  N. IDIR, J.J. FRANCHAUD, R. BAUSIERE, Procédé et dispositif de commande de la commutation de transistors de puissance, Brevet N° BF98/04251.
  [2] :  [PAP261]  N. IDIR, A. BRIFFAUT, J.J. FRANCHAUD, R. BAUSIERE, Improved gate voltage control of isolated gate transistors  allowing safe operation of alternative chopper, PCIM'98, proceeding, Nürnberg, May 1998, pp. 615-620.
  [3] :  [PAP262]  S. MUSUMECI, A. RACITI, A. TESTA, A. GALLUZZO, M. MELITO, Switching-behavior improvement of insulated gate-controlled devices, IEEE Transactions on Power Electronics, 1997.
  [4] :  [PAP263]  V. JOHN, B.-S. SUH, T.A. LIPO, High-performance active gate drive for high-power IGBT's, IEEE Transactions on Industry Applications, 1999.


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