M. BESNIER, "Etude expérimentale de l’IGBT", mémoire de 2ième année d'IUFM, 1997, 26 pages.

M. BESNIER, "Etude expérimentale de l’IGBT", mémoire de 2ième année d'IUFM, 1997, 26 pages. Copyright - [Précédente] [Première page] [Suivante] - Home

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Titre : M. BESNIER, Etude expérimentale de l’IGBT, mémoire de 2ième année d'IUFM, 1997, 26 pages.

Cité dans :[99DIV094] CD ROM, Mémoire d'avenir, Mémoire 1996 à 1999 de physique appliqué.
Cité dans : [DATA001] T. LEQUEU, Evolution des composants de puissance et des IGBT, mars 2004.
Cité dans : [DATA208] T. LEQUEU, Cours de Composants en Commutation - 2000/2001, IUT GEII 2ème année, option EEP, notes de cours, janvier 2001.

Auteur : M. BESNIER
Suivi : par M. BIRAGUE

Stockage : Thierry LEQUEU
Lien : private/BESNIER.pdf - 176 Ko, 26 pages.
Info : I.U.F.M. TOULOUSE PHYSIQUE APPLIQUEE 1996 / 1997
Info : L'utilisation des mémoires à des fins pédagogiques est autorisée à condition de respecter la propriété intellectuelle de leurs auteurs en les citant. Tout autre type de reproduction, à but lucratif ou non, est soumise à l'autorisation préalable de l'IUFM concerné et des auteurs.

RESUME :
A mi chemin entre le MOSFET et le transistor bipolaire, l’IGBT s’impose sur le marché des composants de moyenne puissance.
Il semble donc opportun de l’inclure dans l’enseignement des sections de techniciens supérieurs.
Ce mémoire a pour objectif l’approche expérimentale de l’IGBT : à partir des mesures effectuées sur une maquette
d’étude, l’étudiant pourra établir les différentes caractéristiques de ce composant.
Il contient une présentation de l’IGBT, suivie d’une présentation du travail expérimental effectué.
Ce travail a fait l’objet d’un exposé dans une classe de section TS électrotechnique au lycée Déodat de Séverac.

Mots_Clés : IGBT, Commutation, Puissance

Remerciements :
Je tiens à remecier M. JALADE qui m’a permis d’effecuer ce travail.
Je remercie également M. ALOISI pour ses conseils avisés.

SOMMAIRE :
Première partie : Présentation de l’IGBT
1. L’IGBT parmi les autres composants de puissance
2. Structure de l’IGBT
3. Principe de fonctionnement de l’IGBT
3.1. Fonctionnement du MOSFET de puissance
3.2. Fonctionnement de l’IGBT
4. Schéma équivalent de l’IGBT
5. Etude comparative de l’IGBT
5.1 Avantages de l’IGBT
5.2. Inconvénient de l’IGBT
5.3. Comparaison IGBT, MOSFET, bipolaire.
6. Application de l’IGBT
7. Conclusion
Deuxième partie : Etude expérimentale
1. Présentation de la maquette d’étude
1.1. Objectifs
1.2. Réalisation
1.2.1. Alimentation
1.2.2. Commande
1.2.3. Charge
1.2.4. Mesures
1.3. Protection- sécurité
2. Présentation des résultats expérimentaux
3. Conclusion

Bibliographie

[1] : P. ALOISI (Motorola), Tout savoir (ou presque) sur les IGBT.
[2] : H.G. GAY (Motorola), Introduction au fonctionnement et à la technologie du STARTMOS
[3] : Les techniques de l’ingénieur

Mise à jour le lundi 10 avril 2023 à 18 h 54 - E-mail : thierry.lequeu@gmail.com
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