J.S. AJIT, R. DUTTA, D. KINZER, "Insulated gate triac: device operation and applications", PESC'98, May 1998, Japan.
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Article : [PAP138]

Info : INSPEC Numéro de réponse 4, 1999

Titre : J.S. AJIT, R. DUTTA, D. KINZER, Insulated gate triac: device operation and applications, PESC'98, May 1998, Japan.

Cité dans : [DIV066]  Recherche sur le mot clé : TRIAC*
Auteur : J.S. Ajit, (Power Integrations Inc., Sunnyvale, CA, USA)
Auteur : R. Dutta
Auteur : D. Kinzer

Source : PESC 98 Record. 29th Annual IEEE Power Electronics Specialists Conference (Cat. No.98CH36196)
Lieu : New York, NY, USA: IEEE, 1998.
Pages : 1180 à 1185 vol.2 of 2 vol. xxxi+2136 pp.
Conference : Fukuoka, Japan
Date : 17-22 May 1998
Sponsor(s) : IEEE Power Electron. Soc.; IEEE; IEICE of Japan; IEEJ; IEI of Japan
Price : CCCC 0 7803 4489 8/98/$10.00
ISBN : 0-7803-4489-8
Treatment_Code : Application; New Development; Practical
Country_of_Publication : United States, Language : English

Abstract :
A new three-terminal power switch is described. The MOS-gated bi-directional device has forward and reverse conducting
paths that utilize the same area, thus saving silicon space significantly. A single MOS-gate controls the current flow
in both the forward and reverse directions. Two examples of power electronic applications that benefit from the use of
this device are briefly discussed.

Accession_Number : 98:6016998

Références : 10 refs.

  [1] : [SHEET113] V.A.K. TEMPLE, MOS Controled Thyristors - A new class of power devices, IEEE Transactions on Electron Devices, vol. ED-33, pp. 1609-1618, 1986


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